[发明专利]用于管芯的引线框架

说明书

本申请的实施例涉及一种用于管芯的引线框架。半导体装置(100)的实施例包含具有涂覆于一侧上的金属材料涂层(112)的硅管芯(101)；引线框架(102)，其具有：面积小于所述硅管芯(101)的面积的安装垫(138)，所述硅管芯(101)经由所述安装垫(104)安装在所述引线框架(102)上，和填充有非导电模制化合物的经蚀刻区域(106)，所述经蚀刻区域在所述引线框架(102)中沿着所述硅管芯(101)的边缘与所述硅管芯(101)的一端接触的一侧上。沿着所述金属材料涂层(112)的长度将大量环氧树脂材料(116)分配于所述引线框架(102)上以在所述硅管芯(101)的一侧上形成角焊缝，其被配置成将所述硅管芯(101)粘附到所述引线框架(102)且防止所述金属材料涂层(116)接触所述引线框架(102)。

技术领域

本发明涉及半导体装置，或更具体地说涉及用于管芯的引线框架。

背景技术

在半导体封装中，引线框架为芯片封装内部将信号从管芯携载到外部的结构。封装内部的管芯通常胶合到引线框架，且接着接合线将管芯垫附接到引线。通过去除材料来制造引线框架。用于此操作的两个程序为蚀刻和冲压。引线框架的质量为影响封装式集成电路的性能和可靠性的因素。

在引线框架的制造期间，归因于金属材料涂层的柔软度，在通过锯进行的晶片切割期间会引起金属毛刺。防止毛刺接触引线框架的先前方法包含通过在金属材料与引线框架之间添加新材料、使用栅格阵列方形扁平无引脚(grid array quad flat no-lead，GQFN)封装，和通过半蚀刻管的引线框架隔离而增大引线框架之间的间隙。然而，这些方法需要额外程序和/或额外材料，且并不可靠。

发明内容

本公开涉及通过经蚀刻预成型实施引线框架隔离的设备和方法。公开了引线框架设备和制造引线框架设备的方法。所述引线框架包含填充有非导电模制化合物的经蚀刻区域。所述引线框架被设计成使得从硅管芯的背侧上存在的金属材料涂层突出的金属毛刺置于填充有模具的经蚀刻区域上而非引线框架自身上。经蚀刻区域提供硅管芯与引线框架之间的电隔离。更具体地说，由于金属毛刺与填充有模制化合物的经蚀刻区域而非引线框架接触，因此防止漏电和短路。所述引线框架进一步被设计成使得引线框架的安装垫的面积小于安装在引线框架上的硅管芯的面积。针对半导体产品封装实施引线框架设计。

在一个实例中，公开了一种通过经蚀刻预成型实施引线框架隔离的半导体装置。公开通过经蚀刻预成型实施引线框架隔离的半导体装置。半导体装置包含具有涂覆于一侧上的金属材料涂层的硅管芯；引线框架，具有：面积小于硅管芯的面积的安装垫，所述硅管芯经由安装垫安装在引线框架上，和填充有非导电模制化合物的经蚀刻区域，其在所述引线框架中沿着硅管芯的边缘与硅管芯的一端接触的一侧上。沿着所述金属材料涂层的长度将大量环氧树脂材料分配于所述引线框架上以在所述硅管芯的一侧上形成角焊缝，所述角焊缝被配置成将所述硅管芯粘附到所述引线框架且防止所述金属材料涂层接触所述引线框架。

在另一实例中，公开了一种制造通过经蚀刻预成型实施引线框架隔离的半导体装置的方法。所述方法包含蚀刻引线框架内的区域使得引线框架的安装垫的面积小于具有金属材料涂层的硅管芯的面积。所述方法进一步包含通过非导电模制化合物填充所述经蚀刻区域。所述方法进一步包含沿着所述金属材料涂层的长度将大量环氧树脂材料分配于所述引线框架上以在所述硅管芯的一侧上形成角焊缝，以将所述硅管芯粘附到所述引线框架且防止所述金属材料涂层接触所述引线框架。所述方法进一步包含经由所述金属材料涂层和所述环氧树脂材料将所述硅管芯安装于引线框架的安装垫上，其中所述硅管芯的边缘与所述非导电模制化合物接触。

在又一实例中，公开了一种通过经蚀刻预成型实施引线框架隔离的半导体装置。半导体装置包含具有涂覆于一侧上的金属材料涂层的硅管芯。半导体装置进一步包含引线框架，其具有面积小于硅管芯的面积的安装垫，所述硅管芯经由所述安装垫安装在所述引线框架上，和在所述引线框架中沿着硅管芯的边缘与硅管芯的一端接触的一侧上的填充有非导电模制化合物的经蚀刻区域。

附图说明