[发明专利]利用内嵌ROM对FLASH进行测试的方法及装置

说明书

本发明公开了利用内嵌ROM对FLASH进行测试的方法及装置，其中方法包括：通过起始信号启动FLASH的BIST测试；根据BIST测试指令向FLASH中对应的地址通道赋予初始地址；从内嵌ROM获取所需数据类型的数据向量；将获取的数据向量写入FLASH中。本发明通过把有规律的数据向量存储在内嵌的ROM内，避免了利用SPI接口将数据逐位从串行口处输入，从而提高了测试效率。

技术领域

本发明涉及FLASH测试，更具体地说是利用内嵌ROM对FLASH进行测试的方法及装置。

背景技术

目前，FLASH测试是利用SPI接口把测试地址位、测试数据和测试控制信号逐位从串行口处输入。例如，在测试过程中，需要为FLASH获取1000遍相同的数据，则需要重复从外部ATE端口读入1000遍相同的数据，并且SPI接口的串行时钟频率也很低，因此采用此方法进行测试一方面需要利用SPI接口把测试地址位、测试数据和测试控制信号逐位从串行口处输入导致测试效率不高，同时测试成本也高；另一方面，从SPI接口进来的数据和控制信号，需要在内部设计比较复杂BIST状态机的测试逻辑来完成FLASH测试，导致芯片的功耗和面积增加，从而影响后端的设计。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供利用内嵌ROM对FLASH进行测试的方法及装置。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：利用内嵌ROM对FLASH进行测试的方法，所述方法包括：

通过起始信号启动FLASH的BIST测试；

根据BIST测试指令向FLASH中对应的地址通道赋予初始地址；

从内嵌ROM获取所需数据类型的数据向量；

将获取的数据向量写入FLASH中。

其进一步技术方案为：所述将获取的数据向量写入FLASH中的步骤之后，还包括以下步骤：

判断对应通道中地址是否写满；

若是，则判定数据向量写入结束；

若否，则返回所述从内嵌ROM获取所需数据类型的数据向量的步骤。

其进一步技术方案为：所述判断对应通道中地址是否写满的步骤，具体包括以下步骤：

获取当前数据向量所在地址位的地址值；

判断当前数据向量所在地址位的地址值是否等于地址通道中最大的地址值；

若是，则判定通道中地址已被写满。

利用内嵌ROM对FLASH进行测试的装置，包括启动单元、初始地址赋予单元、获取单元以及写入单元；

所述启动单元，用于通过起始信号启动FLASH的BIST测试；

所述初始地址赋予单元，用于根据BIST测试指令向FLASH中对应的地址通道赋予初始地址；

所述获取单元，用于从内嵌ROM获取所需数据类型的数据向量；

所述写入单元，用于将获取的数据向量写入FLASH中。

其进一步技术方案为：还包括判断单元以及判定单元；

所述判断单元，用于判断对应通道中地址是否写满；

所述判定单元，用于判定数据向量写入结束。

其进一步技术方案为：所述判断单元包括获取模块、判断模块以及判定模块；

所述获取模块，用于获取当前数据向量所在地址位的地址值；