[发明专利]有源芯片与无源光波导芯片的三维对准方法及结构

权利要求书

1.一种有源芯片与无源光波导芯片的三维对准方法，包括如下步骤：

(1)在无源光波导芯片上设置刻蚀槽，并在刻蚀槽内设置用于水平方向定位的定位单元；其中，所述定位单元包括若干凸起，若干所述凸起的外边界连线形成的封闭图形与和有源芯片的俯视图投影图形相同；

(2)在刻蚀槽内制作出电极图形，并在刻蚀槽内的电极图形上设置高度可调节的塑性电极；其中，调节所述塑性电极高度的方法包括通过调节塑性电极的温度和/或压力来实现的；

(3)将有源芯片与步骤(1)中定位单元以及有源芯片上的电极图形与步骤(2)中刻蚀槽内的电极图形均对准后倒放在刻蚀槽内，并使有源芯片的有源区与无源光波导芯片的波导区对准后固定，实现有源芯片与无源光波导芯片的三维对准。

2.根据权利要求1所述的三维对准方法，其特征在于，

步骤(1)中所述刻蚀槽的高度是通过有源芯片的有源区高度和无源光波导芯片上波导区的高度来确定的。

3.根据权利要求1所述的三维对准方法，其特征在于，

步骤(1)中所述刻蚀槽的长度和宽度均大于有源芯片的长度和宽度。

4.根据权利要求1所述的三维对准方法，其特征在于，

步骤(1)中所述凸起的形状包括长方体或圆柱。

5.根据权利要求1所述的三维对准方法，其特征在于，

步骤(1)中所述凸起的制备方法包括通过光刻胶工艺制备。

6.根据权利要求1所述的三维对准方法，其特征在于，

步骤(2)中刻蚀槽内所述电极图形与有源芯片倒装面上的电极图形相同。

7.根据权利要求1所述的三维对准方法，其特征在于，

步骤(3)中所述有源芯片包括激光器芯片或放大器芯片。

8.根据权利要求1所述的三维对准方法，其特征在于，

步骤(3)中所述有源芯片的电极采用的材料包括镍或金。

9.根据权利要求1所述的三维对准方法，其特征在于，

步骤(3)中有源芯片与步骤(1)中的定位单元、有源芯片上的电极图形与步骤(2)中刻蚀槽内的电极图形对准后倒放在刻蚀槽内中所述对准步骤是通过有源芯片按照定位单元的标记在电荷耦合器件的监控定位下放入刻蚀槽中实现的。

10.根据权利要求1所述的三维对准方法，其特征在于，

步骤(3)中使有源芯片的有源区与无源光波导芯片的波导区对准后固定步骤中所述对准后固定步骤的具体方法包括：对有源芯片和无源光波导芯片加热并加压，实时通过探测器监测波导出光端面的功率，当功率达到最大值时降温降压。

11.根据权利要求10所述的三维对准方法，其特征在于，

所述探测器的光敏面的直径为5-10mm。

12.一种采用如权利要求1-11任一项所述的三维对准方法得到的有源芯片与无源光波导芯片的三维对准结构。

13.一种光电子器件，其特征在于，内含有如权利要求12所述的三维对准结构。