[发明专利]一种改变充电方式的高磁通隔磁片在审
| 申请号： | 201910688565.6 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110601384A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 刘孝军;朱仁胜;朱国栋;朱国辉 | 申请（专利权）人： | 徐州远洋磁性材料有限公司 |
| 主分类号： | H02J50/70 | 分类号： | H02J50/70 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁片层 隔磁层 充电方式 左右布置 上端 高磁通 隔磁片 石墨层 铜板层 磁层 上磁 铺设 导热性能 高磁性能 纳米层 双面胶 腔体 上凹 下凹 下端 基层 体内 | ||
1.一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，包括高分子基层(1)、磁片层和隔磁层；
高分子基层(1)、磁片层和隔磁层从下往上依次铺设，磁片层包括上磁层(22)和下磁层(21)，所述上磁层(22)下端设有多个上凹的第一凹槽，多个第一凹槽左右布置，下磁层(21)上端设有多个下凹的第二凹槽，多个第二凹槽左右布置，并与多个第一凹槽对应设置，形成多个腔体，腔体内设有纳米层(23)；
所述隔磁层包括铜板层(3)和石墨层(4)，石墨层(4)通过双面胶铺设在铜板层3上端。
2.根据权利要求1所述的一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，所述第一凹槽与第二凹槽均为半圆柱结构。
3.根据权利要求1或2所述的一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，所述纳米层(23)为四氧化三铁纳米磁粉。
4.根据权利要求3所述的一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，所述上磁层(22)厚度为20-200μm，所述下磁层(21)厚度为20-200μm。
5.根据权利要求1所述的一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，所述腔体直径为10-100μm。
6.根据权利要求1所述的一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，所述隔磁层还包括树脂层(5)，树脂层(5)铺设在石墨层(4)的上方，并且厚度为40-200μm。
7.根据权利要求1所述的一种改变充电方式的高磁通隔磁片，其特征在于，所述铜板层(3)厚度为0.5-1.8μm。
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