[发明专利]一种采用Au基高温钎料连接SiC陶瓷的方法

权利要求书

1.一种采用Au基高温钎料连接SiC陶瓷的方法，其特征在于包括以下步骤：

1）将Au箔、Ni箔、Pd箔和Ti箔加工成所需的尺寸，并按顺序将加工后的Au箔、Ni箔、Pd箔和Ti箔用胶水黏贴固定，得到用于焊接的钎料；

2）对待焊SiC陶瓷进行表面处理，即先除去SiC陶瓷待焊面的油污，然后对SiC陶瓷待焊面进行打磨，将打磨后的SiC陶瓷待焊面进行抛光；

3）在两块进行表面处理后的SiC陶瓷的待焊面之间贴合放置步骤1）所得钎料，并用胶水进行粘结固定，得到被焊工件；

4）将步骤3）所得被焊工件放入真空钎焊炉内进行加热，首先升温至250~350 ℃并保温25~30 min，以使被焊工件中的胶水充分挥发；

5）随后升温至1150~1300℃并保温5~20min，使被焊工件中的钎料转变成液相，且两块SiC陶瓷的待焊面之间通过液化的钎料发生连接，随后降温冷却，最终完成SiC陶瓷的钎焊连接。

2.如权利要求1所述的一种采用Au基高温钎料连接SiC陶瓷的方法，其特征在于步骤2）中，使用金刚石对SiC陶瓷待焊面进行打磨，打磨后的SiC陶瓷待焊面采用金刚石抛光剂进行抛光。

3.如权利要求1所述的一种采用Au基高温钎料连接SiC陶瓷的方法，其特征在于步骤4）中，真空钎焊炉内的升温速率为6~12℃/min，优选为10℃/min。

4.如权利要求1所述的一种采用Au基高温钎料连接SiC陶瓷的方法，其特征在于步骤5）中，真空钎焊炉内的升温速率为6~12℃/min，优选为10℃/min；降温冷却的过程为：先以4~8℃/min的速率降温至280~320℃，随后自然降温至室温。

5. 如权利要求1所述的一种采用Au基高温钎料连接SiC陶瓷的方法，其特征在于步骤1）中，所述加工后的Au箔、Ni箔、Pd箔和Ti箔的厚度相同，厚度均为0.02~0.04 mm。

6.如权利要求1所述的一种采用Au基高温钎料连接SiC陶瓷的方法，其特征在于步骤1）中，Au箔、Ni箔、Pd箔和Ti箔的纯度均大于99.5%。