[发明专利]湿法刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910689404.9 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112309888A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 符德荣;林凤雏;高郁聪 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 方法 | ||
1.一种湿法刻蚀方法，其特征在于，所述湿法刻蚀方法包括如下步骤：
提供待处理基底，对所述待处理基底进行预热处理；
使用湿法刻蚀溶液对预热处理后的所述待处理基底进行湿法刻蚀，所述湿法刻蚀溶液的温度大于所述待处理基底预热处理前的温度。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，预热处理后所述待处理基底的温度与所述湿法刻蚀溶液的温度相同。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，使用湿法刻蚀溶液喷嘴将所述湿法刻蚀溶液喷射至预热处理后的所述待处理基底的表面，以对预热处理后的所述待处理基底进行湿法刻蚀。
4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述待处理基底旋转的同时使用所述湿法刻蚀溶液喷嘴将所述湿法刻蚀溶液喷射至预热处理后的所述待处理基底的表面。
5.根据权利要求4所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述湿法刻蚀溶液喷嘴将所述湿法刻蚀溶液喷射至预热处理后的所述待处理基底的表面的同时于所述待处理基底的中心至所述待处理基底的边缘之间做往返运动。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，使用具有预设温度的去离子水对所述待处理基底进行预热处理。
7.根据权利要求6所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，使用去离子水喷嘴将具有预设温度的所述去离子水喷射至所述待处理基底的表面，以对所述待处理基底进行预热处理。
8.根据权利要求7所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述待处理基底旋转的同时使用所述去离子水喷嘴将具有预设温度的所述去离子水喷射至所述待处理基底的表面。
9.根据权利要求8所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述去离子水喷嘴将具有预设温度的所述去离子水喷射至所述待处理基底的表面的同时于所述待处理基底的中心至所述待处理基底的边缘之间做往返运动。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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