[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底表面具有第一介质层；在所述第一介质层内形成第一开口，且所述第一开口底部暴露出部分基底表面；在所述第一开口底部的基底表面形成金属硅化物层；在所述第一开口内形成位于所述金属硅化物层表面的牺牲层；在所述第一介质层表面和金属硅化物层表面形成第二介质层；刻蚀部分所述第二介质层，在所述第二介质层内形成第二开口，且第二开口底部暴露出牺牲层顶部表面；形成所述第二开口之后，去除所述牺牲层；在去除所述牺牲层之后，在所述第一开口内和第二开口内形成导电结构。所述方法形成的半导体结构的性能较好。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着集成电路制造技术的快速发展，促使集成电路中的半导体器件的尺寸不断地缩小，使整个集成电路的运作速度将因此而能有效地提升。随着元件的尺寸要求越来越小，相应形成的导电结构的尺寸越来越小。

所述导电结构的形成方法为：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层内具有第一开口；在所述第一开口内形成第一插塞；形成所述第一插塞之后，在所述第一插塞表面和第一介质层表面形成第二介质层；在所述第二介质层内形成第二开口；形成所述第二开口之后，在所述第二开口内形成第二插塞。所述第一插塞和第二插塞构成导电结构。为了降低尺寸日益减小的导电结构的电阻，采用电阻率较小的材料形成所述导电结构。

然而，现有技术形成的半导体器件的性能有待提高。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高形成的半导体结构的性能。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面具有第一介质层；在所述第一介质层内形成第一开口，且所述第一开口底部暴露出部分基底表面；在所述第一开口底部的基底表面形成金属硅化物层；在所述第一开口内形成位于所述金属硅化物层表面的牺牲层；在所述第一介质层表面和牺牲层表面形成第二介质层；刻蚀部分所述第二介质层，在所述第二介质层内形成第二开口，且第二开口底部暴露出牺牲层顶部表面；形成所述第二开口之后，去除所述牺牲层；在去除所述牺牲层之后，在所述第一开口内和第二开口内形成导电结构。

可选的，所述金属硅化物层的形成方法包括：在所述第一开口侧壁和底部表面、以及第一介质层表面形成材料膜；采用退火工艺，使部分材料膜和基底反应，在所述第一开口底部形成所述金属硅化物层；形成所述金属硅化物层之后，去除位于金属硅化物层表面、第一开口侧壁以及第一介质层表面的材料膜。

可选的，所述材料膜的厚度范围：100埃～300埃。

可选的，所述材料膜的材料包括：钛、镍、钴或者钨。

可选的，去除位于金属硅化物层表面、第一开口侧壁以及第一介质层表面的材料膜的工艺包括湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺对材料膜的刻蚀速率大于对金属硅化物层的刻蚀速率。

可选的，所述牺牲层的形成方法包括：在所述第一开口内和第一介质层表面形成牺牲材料膜；平坦化所述牺牲材料膜，直至暴露出第一介质层表面，在所述第一开口内形成所述牺牲层。

可选的，所述牺牲层的材料和第一介质层的材料不同；所述牺牲层的材料包括：旋转涂布有机碳、无定形硅、无定形碳、多晶硅、氧化硅、碳氧化硅或者碳氧氢化硅。

可选的，所述第一介质层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅和氮氧化硅中的一种或多种；所述第二介质层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅和氮氧化硅中的一种或多种。

可选的，所述第一开口的形成方法包括：在所述第一介质层表面形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出部分第一介质层表面；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，直至暴露出基底表面，形成所述第一开口。