[发明专利]一种芯板层通孔镀铜填孔加工方法

权利要求书

1.一种芯板层通孔镀铜填孔加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

脱脂去氧化，将基板进行碱性脱脂处理后投入酸洗液中进行弱蚀刻处理；

黑化，将弱蚀刻处理后的基板投入黑化剂中进行黑化处理，使得基板形成针状结晶表面；

激光打孔，通过激光打孔设备将黑化后的基板进行若干次正反面激光打孔后形成通孔，每次所述激光打孔的深度为所述基板厚度的1/2至3/5；

化学镀铜，将打孔后的基板去钻污处理后进行化学镀铜将通孔的非金属孔壁上沉积一层均匀的导电层；

电镀镀铜，通过第一阶段的电镀将通孔壁的铜加厚，通过第二阶段的电镀将通孔内镀铜填平；

热处理，将镀铜后的基板在设定干燥温度下加热设定时间；

半蚀刻，将热处理后的基板表面的铜蚀刻掉设定厚度得到芯板；

所述激光打孔设备设有工作台(100)；所述工作台(100)的中部开设有加工口(110)；所述工作台(100)的上表面在所述加工口(110)的两侧设有一对用于夹持基板的夹持块(120)；所述加工口(110)的上方和下方均设有激光发生器(200)；

一对所述夹持块(120)的相对面开设有一对夹持所述基板的夹持槽(121)；所述工作台(100)的上表面在所述加工口的两侧还分别设有可沿着平行于所述夹持槽(121)的长度方向移动的上加工承接机构(300)和下加工承接机构(400)；

一对所述夹持块(120)的相对面还开设有一对位于所述夹持槽(121)上方的上卡槽(122)和位于所述夹持槽(121)下方的下卡槽(123)；

所述上加工承接机构(300)包括上承接组件(310)和驱动所述上承接组件(310)移入或移出所述上卡槽(122)的第一驱动机构(320)；所述下加工承接机构(400)包括下承接组件(410)和驱动所述下承接组件(410)移入或移出所述下卡槽(123)的第二驱动机构(420)。

2.根据权利要求1所述的一种芯板层通孔镀铜填孔加工方法，其特征在于，所述黑化剂的药液温度范围为88℃至92℃；所述黑化剂中的亚氯酸钠的浓度范围为46g/L-50g/L；所述黑化剂中的氢氧化钠浓度范围为45g/L-49g/L、磷酸钠浓度范围为16g/L-20g/L。

3.根据权利要求1所述的一种芯板层通孔镀铜填孔加工方法，其特征在于，所述激光打孔包括以下步骤：

在纯铜板上均匀钻孔形成凸字形的吸附孔；

将纯铜板固定在加工台面上；

将基板吸附在所述纯铜板上，A面朝上、B面朝下，以第一设定时长发射第一次激光脉冲；

将基板吸附在所述纯铜板上，B面朝上、A面朝下，以第一设定时长发射第二次激光脉冲；

保持基板B面朝上、A面朝下，以第二设定时长发射第二次激光脉冲。

4.根据权利要求1所述的一种芯板层通孔镀铜填孔加工方法，其特征在于，所述化学镀铜具体包括以下步骤：

溶胀，将基板投入膨胀溶液中进行膨胀处理，所述膨胀溶液的温度为65℃至75℃；

去钻污，将膨胀处理后的基板投入超声波溶液中，所述超声波溶液中的高锰酸钠浓度范围为50g/L-70g/L、锰酸钠浓度小于等于20g/L、NaOH浓度30g/L-50g/L；所述超声波溶液的溶液比重小于等于1.28g/cm3、溶液温度范围为70℃-80℃、树脂蚀刻量范围为0.2μm-1.0μm、超声波效率70％-100％；

化学镀铜，将去钻污后的基板投入镀铜溶液中，所述镀铜溶液中铜溶液的浓度范围为50.00mL/L-70.00mL/L、NaOH的浓度范围为8.00g/L-12.00g/L、铜还原剂的浓度范围为12.00-16.00mL/L、基础液的浓度范围为80.00-120.00mL/L、温度范围为36.0-40.0℃、析出电位范围为-800mV--1000mV。