[发明专利]一种自冷式磁路系统在审
| 申请号： | 201910689655.7 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112312290A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 惠州迪芬尼声学科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R9/06 | 分类号： | H04R9/06;H04R9/02 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 黄寿华 |
| 地址： | 516223 广东省惠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁路 系统 | ||
1.一种自冷式磁路系统，包括音圈、华司、磁铁和U铁件，所述U铁件内部形成容纳腔，所述音圈、华司和磁铁位于容纳腔中；所述音圈环绕设置在华司和磁铁的外侧，且所述音圈与华司和磁铁之间存在间隙，其特征在于，
所述U铁件包括第一U铁和第二U铁，所述第一U铁开设有通孔；所述第一U铁套接在第二U铁的外侧，且二者之间存在间隙并形成散热腔。
2.根据权利要求1所述的自冷式磁路系统，其特征在于，所述第一U铁包括第一水平部和第一垂直部，所述第二U铁包括第二水平部和第二垂直部；所述第一垂直部和第二垂直部均为环状结构，且第一垂直部的直径大于第二垂直部的直径；所述第二垂直部抵接于第一水平部。
3.根据权利要求2所述的自冷式磁路系统，其特征在于，所述通孔开设于第一垂直部上。
4.根据权利要求3所述的自冷式磁路系统，其特征在于，所述第一水平部在与第二垂直部的相接处开设有槽体。
5.根据权利要求4所述的自冷式磁路系统，其特征在于，所述第二垂直部在底部设置有缺口。
6.根据权利要求2所述的自冷式磁路系统，其特征在于，所述第二水平部从第二垂直部的上方向外侧延伸，并与第一垂直部相连接。
7.根据权利要求3所述的自冷式磁路系统，其特征在于，所述通孔在垂直部上均匀分布。
8.根据权利要求1-7任一所述的自冷式磁路系统，其特征在于，所述通孔的形状为圆形、半圆形、椭圆形、三角形、多边形或不规则图形。
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