[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件中具有不同开口尺寸的第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽，并根据不同的开口尺寸对应调整填充在第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽中的绝缘材料。如此，即实现了半导体器件中沟槽隔离结构的多样性，从而可以根据不同的隔离区域对应采用不同的沟槽隔离结构，提高了沟槽隔离结构应用灵活性；并且，还有利于简化各个沟槽隔离结构的制备难度，提高半导体器件的生产效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

随着半导体器件尺寸的不断缩减以及半导体器件的集成度的逐步提升，引进了掩埋于衬底中的隔离结构，即沟槽隔离结构。所述沟槽隔离结构具备较高的隔离效果，并有利于减小器件单元之间的间隔尺寸。

举例而言，通常会在衬底中形成沟槽隔离结构以界定出有源区，进而可基于界定出的有源区进一步制备各个器件单元(例如，晶体管)，此时不同有源区中的器件单元之间即可利用所述沟槽隔离结构相互分隔，以避免不同的器件单元相互干扰。

目前，半导体器件中通常会设置有多个沟槽隔离结构，然而现有的沟槽隔离结构其结构通常较为单一，并且各个沟槽隔离结构之间即使是应用于不同的隔离区域，其结构也通常是相同的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件，以将具有多样化的沟槽隔离结构应用于半导体器件中。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体器件，包括：

衬底，所述衬底中形成有开口尺寸依次增加的第一隔离沟槽、第二隔离沟槽、第三隔离沟槽以及电性传导层；其中，

所述第一隔离沟槽中填满第一绝缘材料；

所述第二隔离沟槽中填充有所述第一绝缘材料和至少部分所述电性传导层；以及，

所述第三隔离沟槽中依次填充有所述第一绝缘材料、所述第二绝缘材料和第三绝缘材料。

基于如上所述的半导体器件，本发明还提供了一种半导体器件的形成方法，包括：

提供一衬底，并在所述衬底中形成开口尺寸依次增加的第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽；

形成第一绝缘材料在所述第一隔离沟槽、所述第二隔离沟槽和所述第三隔离沟槽中，其中所述第一绝缘材料填满所述第一隔离沟槽，以及所述第一绝缘材料覆盖所述第二隔离沟槽和所述第三隔离沟槽的内壁；

形成第二绝缘材料在所述第二隔离沟槽和所述第三隔离沟槽中，以及形成第三绝缘材料在所述第三隔离沟槽中；以及，

形成电性传导层在所述衬底中，并且所述电性传导层至少部分形成在所述第二隔离沟槽中。

在本发明提供的半导体器件中，基于不同开口尺寸的第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽，则对应调整填充在第一隔离沟槽、第二隔离沟槽和第三隔离沟槽中的绝缘材料。如此，即实现了半导体器件中沟槽隔离结构的多样性，从而可以根据不同的隔离区域对应采用不同的沟槽隔离结构，提高了沟槽隔离结构应用灵活性。例如，针对还容纳有电性传导层的沟槽隔离结构而言，即可以采用具有较大开口尺寸的第二沟槽隔离结构容纳所述电性传导层。此外，针对本发明提供的针对不同开口尺寸的隔离沟槽而言，通过对应调整其绝缘材料，则还能够进一步简化各个沟槽隔离结构的制备难度。

可选的方案中，还可以在第二沟槽隔离结构中形成有缝隙，则相应的还能够改善电性传导层和衬底之间的寄生电容。

进一步的方案中，还可以在衬底接壤所述第一隔离沟槽和第二隔离沟槽的部分中形成有离子注入区，以利用所述离子注入区改善半导体器件的漏电流现象。

附图说明