[发明专利]将金属非金属化合物用作前驱物的光产生系统及方法在审
申请号: | 201910690318.X | 申请日: | 2019-07-29 |
公开(公告)号: | CN110780540A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 许青翔;徐丰源;张旭凯;杨棋铭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 龚诗靖 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属非金属 光产生系统 汽化装置 激光装置 前驱气体 透镜结构 配置 汽化 光刻工艺 激光照射 发射光 光产生 光掩模 前驱物 激光 释放 | ||
本发明实施例涉及将金属非金属化合物用作前驱物的光产生系统及相关的光产生方法。本发明实施例提供一种光产生系统。所述光产生系统包含汽化装置、激光装置及透镜结构。所述汽化装置经配置以汽化金属非金属化合物以产生金属非金属前驱气体。所述激光装置经配置以提供激光,且用所述激光照射从所述汽化装置释放的所述金属非金属前驱气体以发射光信号。所述透镜结构经配置以朝向用于光刻工艺的光掩模引导所述光信号。
技术领域
本发明实施例涉及将金属非金属化合物作为前驱物的光产生系统及其相关的光产生方法。
背景技术
集成电路(IC)材料和设计方面的技术进步产生了许多代IC,其中每一代的电路都比前一代更小并且更复杂。在IC演进的过程中,虽然可使用制造工艺产生的最小组件或线已减小,但每芯片面积的互连元件的数目通常已增加。此按比例缩小增加了IC加工和制造的复杂度。对于待实现的这些进步,对执行较高分辨率光刻工艺的需要增长。由于极紫外(EUV)光束具有极短波长,EUV光刻被视为允许相对精密电路图案的曝光的下一代技术。
发明内容
本发明的一实施例揭露一种光产生系统,其包括:汽化装置,其经配置以汽化金属非金属化合物以产生金属非金属前驱气体;激光装置,其经配置以提供激光,且用所述激光照射从所述汽化装置释放的所述金属非金属前驱气体以发射光信号;及透镜结构,其经配置以朝向用于光刻工艺的光掩模引导所述光信号。
本发明的一实施例揭露一种光产生方法,其包括:将包括金属非金属化合物的液流注入喷嘴中;加热所述喷嘴中的所述液流以将所述金属非金属化合物从液相转化成气相,呈所述气相的所述金属非金属化合物充当金属非金属前驱气体;用激光照射所述金属非金属前驱气体以发射光信号;及朝向用于光刻工艺的光掩模引导所述光信号。
本发明的一实施例揭露一种光产生方法,其包括:将包括金属非金属化合物的液流注入喷嘴中;加热所述喷嘴中的所述液流以将所述金属非金属化合物从液相转化成气相,呈所述气相的所述金属非金属化合物充当金属非金属前驱气体;用激光照射所述金属非金属前驱气体以发射光信号;及对所述光信号进行滤波以产生具有预定波长的光束。
附图说明
当结合附图阅读时从以下详细描述最好地理解本发明实施例的各方面。应注意,根据行业中的标准惯例,各种特征未按比例绘制。实际上,为了论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1A说明根据本发明的一些实施例的示范性光产生系统。
图1B说明根据本发明的一些实施例的图1A中示出的透镜结构的实施方案。
图1C说明根据本发明的一些实施例的图1A中示出的透镜结构的实施方案。
图1D说明根据本发明的一些实施例的图1A中示出的透镜结构的实施方案。
图2说明根据一些实施例的图1中示出的金属非金属化合物的实施例。
图3说明根据一些实施例的示范性光产生系统。
图4说明根据一些实施例的另一示范性光产生系统。
图5说明根据一些实施例的与不同氧化状态下的金属离子相关联的光谱照射度分布。
图6示出根据一些实施例的汽化及激发金属非金属化合物所需的能量。
图7说明根据一些实施例的示范性光产生方法的流程图。
具体实施方式
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