[发明专利]存储装置

说明书

本发明的实施方式提供一种能够抑制半选择漏电流的存储装置。实施方式的存储装置具备：第1导电层；第2导电层；阻变元件，设置在第1导电层与第2导电层之间；及中间层，设置在阻变元件与第1导电层之间、及阻变元件与第2导电层之间中任一处，且包含硅(Si)及锗(Ge)中至少任一元素、碲(Te)及铝(Al)。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2019-42353号(申请日：2019年3月8日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种存储装置。

背景技术

作为大容量非易失性存储装置，有交叉点型双端子存储装置。交叉点型双端子存储装置容易实现存储单元的微细化、高集成化。

作为双端子存储装置，例如有磁阻式存储器(Magnetoresistive Random AccessMemory：MRAM)、阻变式存储器(Resistive Random Access Memory：ReRAM)、相变式存储器(Phase Change Memory：PCM)、铁电存储器(Ferroelectric Random Access Memory：FeRAM)等。双端子存储装置的存储单元具有会因电压或电流的施加而电阻变化的阻变元件。例如，将阻变元件的高电阻状态定义为数据“0”，将其低电阻状态定义为数据“1”。存储单元可维持不同的电阻状态，由此可存储1比特数据“0”与“1”。

在交叉点型存储器阵列中，例如交叉排列有多根被称为位线及字线的金属布线，在位线与字线的交点形成有存储单元。1个存储单元的写入是通过向连接于该单元的位线及字线施加电压来进行。

1根位线及字线连接有多个存储单元。因此，例如在写入时，想要写入的单元(选择单元)、及连接于相同位线及字线的多个单元(半选择单元)都会被施加电压(半选择电压：低于选择单元的电压)，从而有电流(半选择漏电流)流入。如果该半选择漏电流较大，那么会招致例如芯片的用电的增大。另外，布线中电压的下降会增大，而不再向选择单元施加足够高的电压。因此，在交叉点型存储器阵列中，需要实现半选择漏电流较小的存储单元。

为了实现半选择漏电流较小的存储单元，而设置例如串联连接于阻变元件的开关元件。开关元件具有在指定电压(以下，称为阈值电压)下电流急剧上升的非线性电流电压特性。通过开关元件可抑制流入至半选择单元的半选择漏电流。

为了实现存储装置的低电压动作，而要求存储单元动作的低电压化。为了实现存储单元动作的低电压化，而对开关元件的动作也要求低电压化，以期开关元件的阈值电压降低。但是，如果降低开关元件的阈值电压，那么有开关元件的漏电流增加，结果导致半选择漏电流增加的风险。

发明内容

本发明提供一种可抑制半选择漏电流的存储装置。

实施方式的存储装置具备：第1导电层；第2导电层；阻变元件，设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间；及中间层，设置在所述阻变元件与所述第1导电层之间、及所述阻变元件与所述第2导电层之间中任一处，且包含硅(Si)及锗(Ge)中至少任一元素、碲(Te)及铝(Al)。

附图说明

图1是第1实施方式的存储装置的框图。

图2是第1实施方式的存储装置的存储单元的示意剖视图。

图3是第1实施方式的存储装置的课题的说明图。

图4是第1实施方式的开关元件的电流电压特性的说明图。

图5(a)、(b)是表示第1实施方式的开关元件的电气特性的图。

图6是第2实施方式的存储装置的存储单元的示意剖视图。