[发明专利]一种晶圆的研磨控制方法及装置、研磨设备有效
申请号: | 201910690427.1 | 申请日: | 2019-07-29 |
公开(公告)号: | CN110394727B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 易洪昇;张志军;杨一凡 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | B24B37/005 | 分类号: | B24B37/005;B24B49/02;H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 党丽 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 研磨 控制 方法 装置 设备 | ||
1.一种晶圆的研磨控制方法,其特征在于,所述方法包括:
S01,在设定的研磨参数下控制研磨机进行量产晶圆的研磨;
S02,当需要启动测试晶圆的监控时,在所述设定的研磨参数下控制所述研磨机进行测试晶圆的研磨;
S03,获得更新的研磨参数,并以所述更新的研磨参数作为设定的研磨参数,并返回S01,所述更新的研磨参数通过所述测试晶圆研磨后的第一整体厚度偏差确定,所述测试晶圆的第一整体厚度偏差通过专用测量设备获得;所述研磨参数用于确定所述研磨机的承载台的局部高度,所述承载台用于承载所述量产晶圆或所述测试晶圆;所述第一整体厚度偏差包括所述测试晶圆的各个位置的厚度信息;
所述研磨机的承载台具有第一固定点以及第二可升降点、第三可升降点,所述研磨参数包括所述第二可升降点和所述第三可升降点的位移参数,所述第二可升降点和所述第三可升降点的位移参数是所述第二可升降点和所述第三可升降点相对于所述第一固定点的位置参数;调整所述第二可升降点的位移参数,用于调整所述量产晶圆或所述测试晶圆的边缘和中心位置的高度差,即调整所述量产晶圆或所述测试晶圆的“V”型形貌;调整所述第三可升降点的位移参数,用于调整所述量产晶圆或所述测试晶圆的边缘和中心位置之间的区域的高度,即调整所述量产晶圆或所述测试晶圆的“M”型形貌。
2.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,需要启动测试晶圆的监控的判断方法包括:
判断所述量产晶圆的数量是否到达量产周期,若是,则确定需要启动测试晶圆的监控。
3.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述研磨机还设置有厚度测量装置,在步骤S01中,还包括:利用所述厚度测量装置获得研磨后的量产晶圆的第二整体厚度偏差;则,
需要启动测试晶圆的监控的判断方法包括:
根据所述量产晶圆的第二整体厚度偏差,判断是否需要启动测试晶圆的监控。
4.根据权利要求3所述的控制方法,其特征在于,所述根据所述量产晶圆的第二整体厚度偏差,判断是否需要启动测试晶圆的监控,包括:
通过所述量产晶圆的第二整体厚度偏差与预设厚度偏差的偏移量,判断是否需要启动测试晶圆的监控。
5.根据权利要求3所述的控制方法,其特征在于,所述根据所述量产晶圆的第二整体厚度偏差,判断是否需要启动测试晶圆的监控,包括:
通过所述量产晶圆的第二整体厚度偏差是否在预设厚度偏差阈值范围内,判断是否需要启动测试晶圆的监控。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其特征在于,所述更新的研磨参数的确定方法包括:
根据预先获得的实验数据,通过所述测试晶圆的第一整体厚度偏差确定更新的研磨参数,所述实验数据包括通过所述专用测量设备获得的晶圆研磨后的第一整体厚度偏差与研磨参数的对应关系。
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