[发明专利]写入控制方法以及数据存储装置及其控制器

说明书

本发明公开了一种写入控制方法以及数据存储装置及其控制器。所述写入控制方法可包括：从主机接收命令且执行命令，且进行判断操作以产生判断结果；因应判断结果，开始进行写入收集；收集且处置写入命令以通过缓冲存储器缓冲写入命令的数据，且进行其它判断操作以产生其它判断结果；因应其它判断结果，依据已收集且处置的写入命令的数量判断其数据是否已填满所述缓冲存储器中的写入缓冲区；以及因应所述已收集且处置的写入命令的所述数据已填满所述写入缓冲区，快刷所述写入缓冲区，以将所述写入缓冲区中的数据写入非挥发性存储器。本发明的数据存储装置能于接收到众多命令时进行命令重新排列，能降低闪存中的闪存裸晶的不同时闲置的机率。

技术领域

本发明是有关于闪存(Flash memory)的存取(access)，尤指一种写入控制方法以及相关的数据存储装置及其控制器。

背景技术

闪存可广泛地应用于各种可携式或非可携式数据存储装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD或UFS标准的记忆卡；又例如：固态硬盘；又例如：符合UFS或EMMC规格的嵌入式(embedded)存储装置)中。以常用的NAND型闪存而言，最初有单阶细胞(single levelcell，SLC)、多阶细胞(multiple level cell，MLC)等类型的闪存。由于存储器的技术不断地发展，较新的数据存储装置产品可采用三阶细胞(triple level cell，TLC)闪存，甚至四阶细胞(quadruple level cell，QLC)闪存。为了确保数据存储装置对闪存的存取控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理其内部运作。

依据现有技术，有了这些管理机制的数据存储装置还是有不足之处。举例来说，于一特定模式中，所述数据存储装置从主机(host device)接收的数据可直接进入位于一控制器集成电路中的内部存储器，而非进入位于所述控制器集成电路以外的外部存储器。由于所述内部存储器的存储容量远小于所述外部存储器的存储容量，故所述内部存储器中的缓冲空间相当有限。虽然所述特定模式可用来提升所述数据存储装置的写入效能，但所述内部存储器的有限缓冲空间可对应于将缓冲数据写入闪存的提早触发。由于缓冲数据的数据量不足，故闪存中的一部分的闪存裸晶(die)处于闲置状态。当主机发出读取命令时，闪存中的闪存裸晶的不同时闲置可造成所述闪存的整体传输带宽(bandwidth)下降，使所述数据存储装置的整体效能下降。因此，需要一种新颖的方法及相关架构，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下实现具有可靠的管理机制的数据存储装置。

发明内容

本发明的一目的在于公开一种写入控制方法以及相关的数据存储装置及其控制器，以解决上述问题。

本发明的另一目的在于公开一种写入控制方法以及相关的数据存储装置及其控制器，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下将可靠的管理机制赋予数据存储装置。