[发明专利]PMOS触发的SCR器件、SCR器件的制造方法及SCR静电保护电路

权利要求书

1.一种PMOS触发的SCR器件，包括埋氧化层，其特征在于：还包括依次设于所述埋氧化层表面的第一P+注入区、N阱区、P+注入触发区、P阱区和第一N+注入区，所述第一P+注入区连接于阳极，所述第一N+注入区连接于阴极，所述N阱区的远离所述埋氧化层的一侧设有栅极结构。

2.如权利要求1所述的PMOS触发的SCR器件，其特征在于：所述阳极用于连接延时电路的第一端，所述阴极用于连接所述延时电路的第二端，所述栅极结构用于连接所述延时电路的第三端。

3.如权利要求1所述的PMOS触发的SCR器件，其特征在于：所述埋氧化层的表面还设有第二N+注入区和第二P+注入区，所述第一P+注入区和所述第二N+注入区均注入于所述N阱区中远离所述P阱区的一侧，所述第一N+注入区和所述第二P+注入区均注入于所述P阱区中远离所述N阱区的一侧。

4.一种包含权利要求1至3中任一项所述SCR器件的PMOS触发的SCR静电保护电路，其特征在于：还包括延时电路，所述延时电路用于当静电信号发生时控制所述SCR器件导通，并用于当待保护电路正常工作时控制SCR器件截止，所述SCR器件的阳极用于连接所述延时电路的第一端，所述SCR器件的阴极用于连接所述延时电路的第二端，所述SCR器件的栅极结构用于连接所述延时电路的第三端。

5.如权利要求4所述的PMOS触发的SCR静电保护电路，其特征在于：所述延时电路为RC延时电路。

6.如权利要求5所述的PMOS触发的SCR静电保护电路，其特征在于：所述RC延时电路包括电阻和电容，所述电阻的第一端连接于所述阳极，所述电阻的第二端连接于所述电容的第一端，所述电容的第二端连接于所述阴极，所述电容的第一端还连接于所述栅极结构。

7.如权利要求6所述的PMOS触发的SCR静电保护电路，其特征在于：所述电容包括第一极板和第二极板，所述第二极板为焊盘，所述第一极板设于所述第二极板的靠近所述SCR器件的一侧。

8.如权利要求7所述的PMOS触发的SCR静电保护电路，其特征在于：所述第一极板连接于所述电阻的第二端和所述栅极结构，所述第二极板连接于所述阴极。

9.一种制造如权利要求1至3中任一项所述的SCR器件的方法，其特征在于，包括步骤：

制造埋氧化层；

于所述埋氧化层的表面制造N阱区和P阱区；

于所述N阱区的远离所述埋氧化层的一侧制造栅极结构；

于所述埋氧化层的表面制造第一P+注入区、P+注入触发区和第一N+注入区，其中，将所述第一P+注入区注入于所述N阱区中远离所述P阱区的一侧，将所述P+注入触发区注入于所述N阱区和所述P阱区之间，将所述第一N+注入区注入于所述P阱区中远离所述N阱区的一侧；

于所述第一P+注入区制造阳极焊盘；

于所述第一N+注入区制造阴极焊盘。

10.如权利要求9所述的制造SCR器件的方法，其特征在于，所述SCR器件的所述埋氧化层的表面还设有第二N+注入区和第二P+注入区，于所述埋氧化层的表面制造第一P+注入区、P+注入触发区和第一N+注入区的步骤中：

将所述第二N+注入区注入于所述N阱区中远离所述P阱区的一侧，且将所述第一N+注入区注入于所述P阱区中远离所述N阱区的一侧；

将所述第一P+注入区注入于所述N阱区中远离所述P阱区的一侧，且将所述P+注入触发区注入于所述N阱区和所述P阱区之间，且将所述第二P+注入区注入于所述P阱区中远离所述N阱区的一侧。