[发明专利]一种红外热辐射光源及红外传感器有效
| 申请号： | 201910691100.6 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110400862B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 汪丽杰;佟存柱;舒世立;田思聪;张新;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/24;G01N21/35 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王雨 |
| 地址： | 130033 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外 热辐射 光源 红外传感器 | ||
1.一种红外热辐射光源，其特征在于，从下至上依次包括衬底及半导体纳米线；
所述半导体纳米线设置在所述衬底表面；
周期性排列的所述半导体纳米线与周围的空气形成二维光子晶体，所述二维光子晶体用于限缩出射光的光谱宽度；
所述衬底下方接触设置有背面电极，所述半导体纳米线上方接触设置有正面透明电极；
所述正面透明电极为石墨烯电极或二硫化钼电极。
2.如权利要求1所述的红外热辐射光源，其特征在于，所述半导体纳米线为多量子点层组成的半导体纳米线。
3.如权利要求1所述的红外热辐射光源，其特征在于，所述半导体纳米线从下至上依次包括第一掺杂层、多量子点层及第二掺杂层；
其中，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的掺杂类型不同。
4.如权利要求3所述的红外热辐射光源，其特征在于，所述第一掺杂层的基底材料与所述第二掺杂层的基底材料相同。
5.如权利要求4所述的红外热辐射光源，其特征在于，所述多量子点层的基底材料、所述第一掺杂层的基底材料及所述第二掺杂层的基底材料相同。
6.如权利要求3所述的红外热辐射光源，其特征在于，所述多量子点层为n型掺杂的多量子点层。
7.如权利要求2至6任一项所述的红外热辐射光源，其特征在于，所述多量子点层的量子点导带子带间的跃迁波长的范围为2微米至15微米，包括端点值。
8.如权利要求1所述的红外热辐射光源，其特征在于，所述半导体纳米线的直径的范围为10纳米至1000纳米，包括端点值。
9.一种红外传感器，其特征在于，所述红外传感器包括如权利要求1至8任一项所述的红外热辐射光源。
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