[发明专利]一种高晶界密度MoO3

权利要求书

1.一种高晶界密度MoO₃纳米晶的应用，其特征在于，将其用作芳伯醇氧化制备芳基甲酸的催化剂；

所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的晶界密度不低于30,000m/mg。

2.如权利要求1所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的应用，其特征在于，所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的晶界密度不低于100,000m/mg。

3.如权利要求1所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的应用，其特征在于，所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的晶界密度不低于200,000m/mg。

4.如权利要求1所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的应用，其特征在于，所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的晶界密度为230,000～300,000m/mg。

5.如权利要求1所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的应用，其特征在于，所述的高晶界密度MoO₃纳米晶由多孔Mo在450-550℃的温度下氧化烧结得到。

6.如权利要求5所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的应用，其特征在于，所述的多孔Mo由Mo-A合金经选择性脱除金属A后得到；所述的A为可酸蚀的金属元素。

7.如权利要求6所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的应用，其特征在于，所述的A为Fe元素。

8.如权利要求6所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的应用，其特征在于，Mo-A合金中，Mo的含量为40-50％。

9.如权利要求6所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的应用，其特征在于，酸蚀过程的酸为无机强酸。

10.如权利要求9所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的应用，其特征在于，酸蚀过程的酸为硫酸。

11.如权利要求6所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的应用，其特征在于，酸蚀过程的温度为140-155℃。

12.如权利要求5所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的应用，其特征在于，氧化焙烧过程在含氧气氛下进行。

13.如权利要求12所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的应用，其特征在于，所述的含氧气氛为氧气、空气、或者空气与保护气的混合气体。

14.如权利要求5所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的应用，其特征在于，氧化焙烧过程的时间为0.8-1.2h。

15.如权利要求1～14任一项所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的应用，其特征在于，所述的芳伯醇为具有式1结构式的化合物；

Ar-CH₂OH式1

所述的Ar为芳香基团。

16.如权利要求15所述的高晶界密度MoO₃纳米晶的应用，其特征在于，Ar为苯环、五元芳杂环、六元芳杂环、或者由苯环、五元芳杂环、六元芳杂环中的两个及以上的芳香环并合形成稠环芳基；

所述的苯环、五元芳杂环、六元芳杂环、稠环芳基的芳香环上允许带有取代基，所述的取代基为供电子取代基或吸电子取代基。