[发明专利]一种外延设备的反应腔室的清洁方法在审
| 申请号： | 201910692757.4 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110331440A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 孙明亮;吴明;林宗贤;郭松辉;赵培培 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B25/08;C30B25/16 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 杨楷;毛立群 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 本征半导体层 沉积物去除 反应腔室 外延设备 反应腔 沉积物 室内 掺杂元素 清洁 碳元素 自掺杂 去除 扩散 | ||
1.一种外延设备的反应腔室的清洁方法，其特征在于，包括以下步骤：
沉积物去除步骤，去除所述反应腔室内的界面上的沉积物；
含碳半导体层形成步骤，在经由所述沉积物去除步骤处理后的所述反应腔室内的界面上形成含碳半导体层；
本征半导体层形成步骤，在所述含碳半导体层形成步骤中形成的所述含碳半导体层上形成本征半导体层。
2.如权利要求1所述的外延设备的反应腔室的清洁方法，其特征在于，所述外延设备包括用于承载晶圆的基座，在与所述外延设备连通的气体管路中，包括：出口位置与所述基座的边缘靠近的第一气体管路，在所述含碳半导体层形成步骤中，所述第一气体管路中的气体流量占总气体流量的比例为70％-80％。
3.如权利要求2所述的外延设备的反应腔室的清洁方法，其特征在于，在所述本征半导体层形成步骤中，所述第一气体管路中的气体流量占总气体流量的比例为40％-60％。
4.如权利要求2所述的外延设备的反应腔室的清洁方法，其特征在于，在所述含碳半导体层形成步骤中，所述第一气体管路中的气体流量为1200-1400Sccm。
5.如权利要求1-4任一项所述的外延设备的反应腔室的清洁方法，其特征在于，在所述含碳半导体层形成步骤中，所述反应腔室内的气压为50-70Torr。
6.如权利要求1-4任一项所述的外延设备的反应腔室的清洁方法，其特征在于，在所述本征半导体层形成步骤中，所述反应腔室内的气压为100-120Torr。
7.如权利要求1或2所述的外延设备的反应腔室的清洁方法，其特征在于，在所述含碳半导体层形成步骤中，外延生长所使用的碳源气体为C2H2、C4H4或C2H2和C4H4的混合气体。
8.如权利要求1或2所述的外延设备的反应腔室的清洁方法，其特征在于，在所述沉积物去除步骤中，利用向所述反应腔室内通入的刻蚀气体，刻蚀去除所述沉积物。
9.如权利要求8所述的外延设备的反应腔室的清洁方法，其特征在于，在所述沉积物去除步骤中，所述反应腔室内的压强范围为500-600Torr。
10.如权利要求2所述的外延设备的反应腔室的清洁方法，其特征在于，在所述本征半导体层形成步骤中，反应气体中的硅源气体的流量范围为600-1000Sccm。
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