[发明专利]用于确定AMZI相位调制器半波电压的装置和方法

权利要求书

1.一种用于确定AMZI相位调制器半波电压的装置，包括：

依次连接的激光器(1)、光斩波器(2)、待测AMZI(3)以及光功率计(4)，所述激光器(1)用于产生连续波激光，光功率计(4)用于测量所述待测AMZI(3)的输出功率；以及

信号发生器(5)、电压源(6)与温度控制器(7)，其中，所述信号发生器(5)与所述光斩波器(2)连接，所述信号发生器(5)向所述光斩波器(2)发送调制方波信号，以使所述光斩波器(2)在所述调制方波信号的作用下将所述激光调制成光脉冲序列，所述温度控制器(7)用于控制所述待测AMZI(3)的温度，所述待测AMZI(3)为波导型器件，包括相位调制器(3-4)，所述电压源(6)与所述相位调制器(3-4)连接，通过改变电压源(6)电压以使相位调制器(3-4)改变相位进而改变所述待测AMZI(3)的输出功率，以得到所述功率值最大和最小时对应的电压值，所述功率值最大和最小时对应的电压差即为所述待测AMZI(3)的半波电压；

所述待测AMZI(3)包括：依次连接的输入端耦合器(3-1)、并列设置的长臂延时线(3-2)和短臂(3-3)、输出端耦合器(3-5)，其中，所述长臂延时线(3-2)和短臂(3-3)的长度不相等，所述输出端耦合器(3-5)为3dB耦合器，所述输入端耦合器(3-1)与所述输出端耦合器(3-5)的比值不均等，以使经过短臂与经过长臂的光输出后光强相同，所述相位调制器(3-4)设于所述短臂(3-3)上；

所述信号发生器(5)输出的调制方波信号的周期为T、占空比r，其与待测AMZI(3)的延时时间D的关系满足：

T-D＞T×r＞2×D

其中，0＜r＜1；

所述光斩波器(2)调制3db带宽H满足：

H＞10/(T×r)。

2.根据权利要求1所述的装置，所述激光器(1)、光斩波器(2)、待测AMZI(3)和光功率计(4)通过光纤连接，所述信号发生器(5)与所述光斩波器(2)通过射频电缆连接，所述电压源(6)与所述相位调制器(3-4)通过导线连接。

3.根据权利要求1所述的装置，若所述待测AMZI(3)的材料为二氧化硅或氮氧化硅，则所述相位调制器(3-4)为热光调制器；若所述待测AMZI(3)的材料为铌酸锂，则所述相位调制器(3-4)为电光调制器；若所述待测AMZI(3)的材料为硅，则所述相位调制器(3-4)为基于载流子色散效应的电光调制器。

4.根据权利要求1所述的装置，所述待测AMZI(3)的材料为二氧化硅、硅、氮氧化硅或铌酸锂中的一种或几种。

5.一种用于确定AMZI相位调制器半波电压的方法，应用于如权利要求1所述的装置，所述方法包括：

S1，开启所述激光器(1)产生激光，设置所述信号发生器(5)产生调制方波信号以驱动所述光斩波器(2)，通过温度控制器(7)控制所述待测AMZI(3)的温度为室温；

S2，调节所述电压源(6)的电压，分别记录所述电压值对应的功率值，直至功率值变化覆盖一次最小值与最大值为止，所述功率值中最大值和最小值对应的电压差即为半波电压。

6.根据权利要求5所述的方法，所述调节所述电压源(6)的电压具体为按照预设步长调节所述电压源(6)的电压。