[发明专利]遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，包括：

外延层，具有第一导电态；

多个沟槽，配置于所述外延层中；

遮蔽栅极，配置于所述多个沟槽内；

控制栅极，分别配置于所述多个沟槽内的所述遮蔽栅极上；

绝缘层，配置于所述遮蔽栅极与所述外延层之间；

栅极氧化层，配置于所述控制栅极与所述外延层之间；

栅间氧化层，配置于所述遮蔽栅极与所述控制栅极之间；以及

第一掺杂区与第二掺杂区，配置于所述沟槽底部的所述外延层内，且所述第二掺杂区位于所述遮蔽栅极与所述第一掺杂区之间，其中所述第一掺杂区具有第二导电态，且所述第二掺杂区具有第一导电态。

2.如权利要求1所述的遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管，其中所述第一导电态为N型以及所述第二导电态为P型。

3.如权利要求1所述的遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管，其中所述第一导电态为P型以及所述第二导电态为N型。

4.如权利要求1所述的遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管，其中所述遮蔽栅极被所述栅间氧化层覆盖的顶面具有圆角。

5.如权利要求1所述的遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管，还包括配置于所述外延层的表面的源极区，且所述第二掺杂区的掺杂浓度小于所述源极区的掺杂浓度。

6.如权利要求1所述的遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管，其中所述第一掺杂区的掺杂浓度为均匀浓度。

7.如权利要求1所述的遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管，其中所述多个沟槽还包括延伸至所述外延层的连线区，所述遮蔽栅极延伸至所述连线区的所述多个沟槽内，且所述连线区的所述沟槽内还包括凸出部，作为电连接所述遮蔽栅极的接触窗。

8.如权利要求7所述的遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管，其中所述控制栅极并未延伸至所述连线区。

9.一种遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管的制造方法，包括：

形成外延层，所述外延层具有第一导电态；

在所述外延层中形成多个沟槽；

在每个所述沟槽的底部的所述外延层内依序形成第一掺杂区与第二掺杂区，所述第一掺杂区具有第二导电态，所述第二掺杂区具有所述第一导电态；以及

在每个所述沟槽内形成具有遮蔽栅极的金属氧化物半导体场效晶体管。

10.如权利要求9所述的遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管的制造方法，其中所述第一导电态为N型以及所述第二导电态为P型。

11.如权利要求9所述的遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管的制造方法，其中所述第一导电态为P型以及所述第二导电态为N型。

12.如权利要求9所述的遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管的制造方法，其中形成具有所述遮蔽栅极的所述金属氧化物半导体场效晶体管的步骤包括：

在每个所述沟槽内的所述外延层的表面形成绝缘层；

在每个所述沟槽内的所述绝缘层上形成导体层；

移除部分所述导体层以形成所述遮蔽栅极并露出部分所述绝缘层；

移除露出的所述绝缘层；

在所述沟槽内形成栅间氧化层与栅极氧化层，其中所述栅间氧化层覆盖所述遮蔽栅极的顶面，且所述栅间氧化层覆盖所述外延层的表面；以及

在所述多个沟槽内的所述栅间氧化层上形成控制栅极。

13.如权利要求12所述的遮蔽栅金属氧化物半导体场效晶体管的制造方法，其中移除部分所述导体层之后还包括：对所述遮蔽栅极的顶面进行圆角化。