[发明专利]一种带有金锡焊料的单层电容器的制造工艺

权利要求书

1.一种带有金锡焊料的单层电容器的制造工艺，其特征在于，步骤如下：

S1、制备陶瓷基片并清洗烘干；

S2、在陶瓷基片上下表面形成电极层；

S3、在电极层上表面采用磁控溅射的方法形成金锡焊料层；

S4、切割并测试分选。

2.如权利要求1所述的带有金锡焊料的单层电容器的制造工艺，其特征在于，所述金锡焊料层采用磁控溅射的方法形成，直接溅射金锡合金层或分别溅射金层、锡层再进行合金处理。

3.如权利要求2所述的带有金锡焊料的单层电容器的制造工艺，其特征在于，所述金锡焊料层采用直接溅射金锡合金方式，靶材采用金与锡的质量比为80：20的金锡合金，腔体加热温度为100℃-500℃，真空度为10^-6-10^-7mTorr，功率为500W-4000W,时间为50s-1000s，基片运行速度为50-300cm/min，同时采用X-Ray或台阶仪监测溅射膜厚。

4.如权利要求2所述的带有金锡焊料的单层电容器的制造工艺，其特征在于，所述金锡焊料层采用分别溅射金层、锡层方式，其中金和锡的靶材纯度都为99.99％，腔体加热温度为100℃-500℃，真空度为10^-6-10^-7mTorr，功率为500W-4000W,时间为50s-1000s，基片运行速度为50-300cm/min，同时采用X-Ray或台阶仪监测溅射膜厚，重复上述步骤n个循环，其中n的取值范围是1-10。

5.如权利要求4所述的带有金锡焊料的单层电容器的制造工艺，其特征在于，在金层和锡层上溅射一层金做保护膜，腔体加热温度为100-500℃，真空度为10^-6-10^-7mTorr，功率为500W-4000W,时间为50s-1000s。

6.如权利要求5所述的带有金锡焊料的单层电容器的制造工艺，其特征在于，将多层膜进行高温合金烧结，进而形成金锡焊料合金，其中烧结温度为300-400℃，烧结时间为1-10分钟，气氛为氮气保护。

7.如权利要求1所述的带有金锡焊料的单层电容器的制造工艺，其特征在于，在陶瓷基片的上或下电极表面单面溅射金锡焊料层，或者在上和下电极表面双面溅射金锡焊料层。