[发明专利]一种层间距可调的钠离子电池用硒化铜纳米片阵列的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种层间距可调的钠离子电池用硒化铜纳米片阵列的制备方法，其特征在于步骤如下：

（1）将高纯铜箔分别经丙酮、1 mol L^-1的盐酸溶液、去离子水超声洗涤以除去铜箔表面的有机物和氧化物，然后真空60℃干燥5 h；

（2）将一定量的氢氧化钠溶于插层剂分子水溶液中，然后依次加入硒源、强还原剂，在20～80℃快速搅拌10-120 min使原料完全溶解得到混合溶液；

（3）将经步骤（1）处理过的铜箔置于混合溶液中，在20～80℃温度下反应0.5～4 h，取出铜箔，用去离子水和乙醇洗涤多次，随后真空60℃干燥10 h即获得层间距可调的钠离子电池用硒化铜纳米片阵列；

所述步骤（2）中的插层剂为十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠、聚乙烯吡咯烷酮、十二烷基二甲基苄基氯化铵或十六烷基三甲基氯化铵；

所述步骤（2）中的插层剂分子水溶液的物质的量浓度为0.001～0.05 mol L^-1，混合溶液中，氢氧化钠的物质的量浓度为1-5 mol L^-1，强还原剂的浓度为0.05-0.2 mol L^-1，硒源的浓度为0.01-0.05 mol L^-1。

2.根据权利要求1所述的一种层间距可调的钠离子电池用硒化铜纳米阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中的硒源为单质硒粉、二氧化硒、亚硒酸钠、亚硒酸、硒酸、四氯化硒。

3.根据权利要求1所述的一种层间距可调的钠离子电池用硒化铜纳米片阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中的强还原剂为水合肼、硼氢化钠、硼氢化钾。

4.根据权利要求1所述的一种层间距可调的钠离子电池用硒化铜纳米片阵列的制备方法，其特征在于：制得的硒化铜纳米片阵列排列一致，形貌可控；纳米片厚度为20～40 nm，阵列高度为1～4 μm。

5.根据权利要求1-4任一所述的制备方法制得的层间距可调的钠离子电池用硒化铜纳米片阵列在钠离子电池负极材料中的应用。