[发明专利]一种抑制导电型碳化硅晶体生长中碳包裹体缺陷生成的方法有效
| 申请号： | 201910694854.7 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110331438B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 吴会旺;赵丽霞;陈秉克;刘英斌;李胜华 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 导电 碳化硅 晶体生长 包裹 缺陷 生成 方法 | ||
1.一种抑制导电型碳化硅晶体生长中碳包裹体缺陷生成的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤a，将碳粉和硅粉混合均匀，在真空状态下，加热至1000-1100℃，通入保护气体和氮气的混合气体，升温至2000-2200℃，反应10-15h，通入保护气体至压力为400-600Torr，降温，得含氮碳化硅粉料；所述混合气体的压力为1-20Torr，其中，混合气体中氮气的体积含量为3-6％；由1000-1100℃升温至2000-2200℃采用逐步升温的方式，升温速率为90-120℃/h；
步骤b，将所述含氮碳化硅粉料和籽晶装入石墨坩埚中，抽真空至压力1E-5Torr，通入保护气体至压力为400-600Torr，逐步加热至2100-2250℃，同时逐步将生长压力降至1-20Torr，生长20-50h，通入保护气体至400-600Torr，逐步降温至20-30℃，得碳化硅晶体；逐步加热和逐步降压的时间为3-6h。
2.如权利要求1所述的抑制导电型碳化硅晶体生长中碳包裹体缺陷生成的方法，其特征在于，步骤a中，所述碳粉和硅粉的纯度均≥5N，颗粒度＜100μm。
3.如权利要求1所述的抑制导电型碳化硅晶体生长中碳包裹体缺陷生成的方法，其特征在于，所述碳粉和硅粉的摩尔比为1:1-1.02。
4.如权利要求1所述的抑制导电型碳化硅晶体生长中碳包裹体缺陷生成的方法，其特征在于，步骤a中，采用高频感应加热的方式进行加热。
5.如权利要求1所述的抑制导电型碳化硅晶体生长中碳包裹体缺陷生成的方法，其特征在于，逐步降温的时间为20-30h。
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