[发明专利]Si衬底InGaN可见光探测器及制备方法与应用

权利要求书

1.Si 衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，包括从下到上依次排布的Si衬底、缓冲层、InGaN功能层和Ni/Au金属层电极，所述缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层，InGaN功能层中In组分的摩尔分数为10~60%。

2.根据权利要求1所述的Si 衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，缓冲层中AlN层、AlGaN层和GaN层的厚度分别为200~300 nm、500~600 nm、2~3 μm。

3.根据权利要求1所述的Si 衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，InGaN功能层的厚度为10~15 nm。

4.根据权利要求1所述的Si 衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，Ni/Au金属层电极为叉指电极；Ni/Au金属层电极中Ni金属层的厚度为80~100nm，Au金属层的厚度为80~100nm。

5.制备权利要求1至4任一项所述Si 衬底InGaN可见光探测器的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）在Si衬底上采用MOCVD方法外延生长缓冲层，在缓冲层上采用PLD方法生长 InGaN功能层；

（2）在InGaN功能层上表面进行光刻，在InGaN功能层上表面匀胶、烘干、曝光、显影和氧离子处理，确定电极形状，并通过蒸镀工艺将Ni/Au金属层电极蒸镀在InGaN功能层上表面。

6.权利要求5所述的制备Si 衬底InGaN可见光探测器的方法，其特征在于，采用MOCVD方法在Si衬底上从下到上依次外延生长AlN层、AlGaN层和GaN层的温度分别为1000~1100℃、1000~1100℃和900~1050℃。

7.权利要求5所述的制备Si 衬底InGaN可见光探测器的方法，其特征在于，采用PLD方法生长 InGaN功能层时温度为200~400℃，激光能量为2~5 J/cm²。

8.权利要求5所述的制备Si 衬底InGaN可见光探测器的方法，其特征在于，电极的蒸镀速率为0.18~0.225 nm/min。

9.权利要求5所述的制备Si 衬底InGaN可见光探测器的方法，其特征在于，烘干时间为40-50 s，曝光时间为5-10 s，显影时间为40-50 s，氧离子处理时间为2~3 min。

10.权利要求1所述的Si 衬底InGaN可见光探测器在可见光探测中的应用。