[发明专利]一种离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的方法

权利要求书

1.一种离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)在一次精制盐水A中添加高纯盐酸B，调节至pH＝6-8，得到含有SiO₂沉淀的中性盐水C；

(2)将中性盐水C送入反应槽，并添加铁盐溶液D，进行吸附共沉淀反应，得到含有氢氧化铁和氢氧化铝悬浮物的盐水E；

(3)将盐水E通过中间槽打入超滤膜系统，使其中的氢氧化铝、氢氧化铁以及被氢氧化铝、氢氧化铁吸附共沉淀的SiO₂被超滤膜截留，随超滤膜循环液G排出；超滤膜产水作为精制盐水F进入二次盐水精制系统；

(4)超滤膜循环液G部分返回中间槽；部分进入污泥浓缩槽，污泥浓缩槽中的上清液溢流进入中间槽，底流打入污泥脱水设备，脱水后得到泥渣H。

2.根据权利要求1所述的一种离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的一次精制盐水A为采用现有精制方法除钙镁、除悬浮物后得到的一次精制盐水，其温度为50-60℃；一次精制盐水A的各个组分的浓度如下：氯化钠305±5g/L，硫酸钠7.4～15g/L，Ca²⁺+Mg²⁺0.5～1mg/L，SS 0.5～1mg/L，SiO₂ 5～10mg/L，Al³⁺ 0.1～1mg/L；

所述的高纯盐酸B的质量浓度为4-8％。

3.根据权利要求1所述的一种离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的方法，其特征在于，步骤(1)中采用管道混合器添加高纯盐酸B，并通过在线pH计控制调节阀进而控制添加速率；所述的管道混合器和调节阀需采用防腐处理的有机高分子材质或金属件。

4.根据权利要求1所述的一种离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的方法，其特征在于，步骤(2)中所述的铁盐溶液D包括三氯化铁、硫酸亚铁、硫酸铁、聚合氯化铁或聚合硫酸铁的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的一种离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的方法，其特征在于，步骤(2)中所述的铁盐溶液D的质量浓度为0.1-10％，按照盐水E中铁盐溶液浓度为0.25-1.0mmol/L的质量浓度进行添加，所述的吸附共沉淀反应时间为20-40min。

6.根据权利要求1所述的一种离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的方法，其特征在于，步骤(2)中所述的铁盐溶液D采用PVDF计量泵根据盐水中的硅铝含量准确投加或采用管道混合器添加；

所述的盐水E中各个组分的浓度如下：

氯化钠305±5g/L，硫酸钠7.4～15g/L，Ca²⁺+Mg²⁺0.5～1mg/L，Fe(OH)₃9.88～29.63mg/L，SiO₂ 5～10mg/L，Al³⁺ 0.1～1mg/L。

7.根据权利要求1所述的一种离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的方法，其特征在于，步骤(3)中所述中间槽内的盐水的pH保持在6-8之间。

8.根据权利要求1所述的一种离子膜烧碱一次精制盐水除硅铝深度精制的方法，其特征在于，步骤(3)中所述的超滤膜孔径为0.03-0.08μm，材质为PVDF、聚砜、聚醚砜或陶瓷膜的一种或多种，其结构形式为柱式、浸没式或平板式；所述的超滤采用错流过滤，过滤压力为0.1-0.5MPa；

所述的精制盐水F中各个组分的浓度如下：

氯化钠305±5g/L，硫酸钠≤7.4g/L，Ca²⁺+Mg²⁺≤1mg/L，SS≤0.5mg/L，SiO₂≤5mg/L，Al³⁺≤0.1mg/L。