[发明专利]一种温度图像传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种温度图像传感器，其特征在于，包括：读出电路芯片、存储芯片以及包括至少一个传感像素单元的温度传感芯片；所述读出电路芯片包括相对的第一面和第二面；

所述存储芯片通过第一键合层键合在所述读出电路芯片的第一面，所述温度传感芯片通过第二键合层键合在所述读出电路芯片的第二面。

2.根据权利要求1所述的温度图像传感器，其特征在于，还包括至少一个透镜，所述透镜设置于所述传感像素单元远离所述读出电路芯片的一侧，所述透镜覆盖所述温度传感芯片，每个所述透镜至少覆盖一个所述传感像素单元，所述透镜与所述读出电路芯片或所述存储芯片通过第三键合层键合。

3.根据权利要求1所述的温度图像传感器，其特征在于，每个所述传感像素单元包括第一温度吸收子单元和第一传导子单元，所述第一温度吸收子单元包括第一温度敏感器件、第一反射层以及所述第一温度敏感器件与所述第一反射层之间的第一介质层，其中所述第一反射层位于所述第一温度敏感器件与所述读出电路芯片之间；

所述第一传导子单元的一端与所述第一温度敏感器件电连接，所述第一传导子单元的另一端通过所述第二键合层与所述读出电路芯片电连接；

所述第一反射层靠近所述读出电路芯片的一侧包括第一金属焊盘，且所述第一金属焊盘贯穿所述第一反射层与所述第一传导子单元电连接，所述第一金属焊盘通过所述第二键合层与所述读出电路芯片电连接；其中，所述温度图像传感器在所述第一金属焊盘贯穿所述第一反射层的部分包括包覆所述第一金属焊盘的第一绝缘介质层。

4.根据权利要求3所述的温度图像传感器，其特征在于，所述温度传感芯片还包括参考像素单元，每个所述参考像素单元包括第二温度吸收子单元和第二传导子单元，所述第二温度吸收子单元包括第二温度敏感器件以及所述第二温度敏感器件与所述读出电路芯片之间的第二介质层；

所述第二传导子单元的一端与所述第二温度敏感器件电连接，所述第二传导子单元的另一端通过所述第二键合层与所述读出电路芯片电连接；

所述第二温度吸收子单元的热吸收率小于所述第一温度吸收子单元的热吸收率。

5.根据权利要求4所述的温度图像传感器，其特征在于，所述第一温度敏感器件包括第一端和第二端，所述第一传导子单元至少包括与所述第一温度敏感器件第一端电连接的第一传导梁和与所述第一温度敏感器件第二端电连接的第二传导梁，所述第一传导梁和所述第二传导梁通过所述第二键合层与所述读出电路芯片电连接；

所述第二温度敏感器件包括第三端和第四端，所述第二传导子单元至少包括与第二温度敏感器件第三端电连接的第三传导梁和与所述第二温度敏感器件第四端电连接的第四传导梁，所述第三传导梁和所述第四传导梁通过所述第二键合层与所述读出电路芯片电连接；

其中，所述第一传导梁、所述第二传导梁、所述第三传导梁和所述第四传导梁为包括至少一折的条状或柱状结构；

所述第一传导梁、所述第二传导梁、所述第三传导梁和所述第四传导梁包括直接与所述第一温度敏感器件或第二温度敏感器件电连接的第一部、直接与所述读出电路芯片电连接的第二部、以及连接所述第一部和所述第二部之间的第三部。

6.一种温度图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：

提供读出电路芯片、存储芯片和包括至少一个传感像素单元的温度传感芯片，其中所述读出电路芯片包括相对的第一面和第二面；

将所述读出电路芯片和所述存储芯片进行键合，所述存储芯片键合在所述读出电路芯片的第一面；

将键合后的所述读出电路芯片和存储芯片与所述温度传感芯片进行键合，所述温度传感芯片键合在所述读出电路芯片的第二面。

7.根据权利要求6所述的温度图像传感器的制备方法，其特征在于，在所述将键合后的所述读出电路芯片和存储芯片与所述温度传感芯片进行键合之后，还包括：

提供至少一个透镜；

在所述传感像素单元远离所述读出电路芯片的一侧，将所述透镜与所述读出电路芯片进行键合；或者在所述传感像素单元远离所述读出电路芯片的一侧，将所述透镜与所述存储芯片进行键合；

其中，每个所述透镜至少覆盖一个所述传感像素单元。