[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

多个栅极结构，位于所述基底上；

位于所述栅极结构露出的基底中的源区或漏区；

其中，与所述源区相邻的栅极结构之间具有第一间距，与所述漏区相邻的栅极结构之间具有第二间距，所述第二间距大于所述第一间距。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：介质层，位于所述栅极结构露出的基底上；

源极插塞，位于所述介质层中并与所述源区相接触，且所述源极插塞至与所述源区相邻的栅极结构的距离相等；

漏极插塞，位于所述介质层中并与所述漏区相接触，且所述漏极插塞至与所述漏区相邻的栅极结构的距离相等。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二间距是所述第一间距的1.15倍至1.4倍。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二间距为90纳米至138纳米。

5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，沿垂直于所述栅极结构的延伸方向，所述漏极插塞的尺寸大于所述源极插塞的尺寸。

6.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，沿垂直于栅极结构的延伸方向，所述漏极插塞的尺寸大于或等于所述第二间距的40％，且小于或等于所述第二间距的60％。

7.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成多个栅极结构，所述栅极结构露出的基底用于形成源区或漏区，与用于形成源区的基底相邻的栅极结构之间具有第一间距，与用于形成漏区的基底相邻的栅极结构之间具有第二间距，所述第二间距大于所述第一间距；

在具有第一间距的相邻栅极结构之间的基底中形成源区，在具有第二间距的相邻栅极结构之间的基底中形成漏区。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅极结构的步骤中，所述栅极结构为伪栅结构；

形成所述源区和漏区后，所述形成方法还包括：在所述栅极结构露出的基底上形成介质层，所述介质层露出所述栅极结构的顶部；

去除所述栅极结构，在所述介质层中形成露出所述基底的栅极开口；在所述栅极开口中形成金属栅结构；

在所述介质层中形成与所述源区相接触的源极插塞，且所述源极插塞至与所述源区相邻的金属栅结构的距离相等；

在所述介质层中形成与所述漏区相接触的漏极插塞，且所述漏极插塞至与所述漏区相邻的金属栅结构的间距相等。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二间距是所述第一间距的1.15倍至1.4倍。

10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二间距为90纳米至138纳米。

11.如权利要求7或8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源区或漏区的步骤包括：以所述栅极结构为掩膜，刻蚀所述基底，在所述基底中形成凹槽；

在所述凹槽中形成外延层，且在形成所述外延层的过程中原位自掺杂离子，形成所述源区或漏区。

12.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿垂直于金属栅结构的延伸方向，所述漏极插塞的尺寸大于所述源极插塞的尺寸。

13.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿垂直于金属栅结构的延伸方向，所述漏极插塞的尺寸大于或等于所述第二间距的40％，且小于或等于所述第二间距的60％。

14.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述源极插塞和漏极插塞的步骤包括：刻蚀所述金属栅结构两侧的介质层，在所述介质层中形成露出所述源区的源区接触孔，在所述介质层中形成露出所述漏区的漏区接触孔；

形成填充所述源区接触孔和漏区接触孔的导电层，位于所述源区接触孔中的所述导电层作为所述源极插塞，位于所述漏区接触孔中的所述导电层作为所述漏极插塞。