[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成鳍结构，其中，包含Ge的第一半导体层和第二半导体层交替堆叠在底部鳍结构上方；

增大所述第一半导体层中的Ge浓度；

在所述鳍结构上方形成牺牲栅极结构；

在所述鳍结构的源极/漏极区上方形成源极/漏极外延层；

去除所述牺牲栅极结构；

去除沟道区中的所述第二半导体层，从而释放所述Ge浓度增大的所述第一半导体层；以及

在所述Ge浓度增大的所述第一半导体层周围形成栅极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过氧化所述第一半导体层来增大所述Ge浓度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，通过以下步骤增大所述Ge浓度：

在所述鳍结构上方形成氧化物层；以及

执行热处理，从而氧化所述第一半导体层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在800℃至1000℃下执行所述热处理。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述热处理之后，去除所述氧化物层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，重复形成所述氧化物层，执行所述热处理和去除所述氧化物层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一半导体层由SiGe制成，并且

在所述Ge浓度增大之后的所述第一半导体层的Ge的原子浓度在45％至55％的范围内。

8.根据权利要求7所述的方法，其中：

所述第二半导体层由Si制成，并且

在所述Ge浓度增大之前的所述第一半导体层的Ge的原子浓度在35％至45％的范围内。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成第一鳍结构和第二鳍结构。在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的每一个中，包含Ge的第一半导体层和第二半导体层交替地堆叠在底部鳍结构上方；

增大所述第二鳍结构的所述第一半导体层中的Ge浓度，同时保护所述第一鳍结构；

在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上方形成牺牲栅极结构；

在所述第一鳍结构的源极/漏极区上方形成第一源极/漏极外延层；

在所述第二鳍结构的源极/漏极区上方形成第二源极/漏极外延层；

去除所述牺牲栅极结构；

去除所述第一鳍结构的沟道区中的所述第一半导体层，从而释放所述第二半导体层；

去除所述第二鳍结构的沟道区中的所述第二半导体层，从而释放所述Ge浓度增大的所述第一半导体层；以及

在释放的第一半导体层和释放的第二半导体层周围形成栅极结构。

10.一种半导体器件，包括：

垂直布置的半导体线，每条所述半导体线具有沟道区；

源极/漏极外延层，连接至所述半导体线；以及

栅极结构，形成在所述半导体线周围，其中：

所述半导体线由Si_1-xGe_x制成，其中0.45≤x≤0.55。