[发明专利]一种基于无功补偿技术的船用逆变器有效

专利信息
申请号: 201910697494.6 申请日: 2019-07-30
公开(公告)号: CN110401203B 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 魏海峰;戴磊;张懿;刘维亭;暴琳;李垣江;王敏;王伟然 申请(专利权)人: 江苏舾普泰克自动化科技有限公司
主分类号: H02J3/18 分类号: H02J3/18;H02M7/00
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 代理人: 杨胜
地址: 212000 江苏省镇*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 无功 补偿 技术 逆变器
【说明书】:

发明公开了一种基于无功补偿技术的船用逆变器,包括:绝缘衬套,其内间隔设置有两个开口方向相反的第一矩形凹腔和第二矩形凹腔,第一矩形凹腔和第二矩形凹腔之间夹设有第三矩形凹腔;第一IGBT,其安装在第一矩形凹腔中;第二IGBT,其安装在第二矩形凹腔中;电容器组件,其单侧滑动安装在第三矩形凹腔中;电容器组件的两个电极板平行间隔设置在第三矩形凹腔中,且两个电极板之间的间距离可调整;第一IGBT的发射极连接至第二IGBT的集电极,第一电极板的外侧端从第三矩形凹腔中向外引出并连接至第一IGBT集电极,第二电极板的外侧端从第三矩形凹腔中向外引出并连接至第二IGBT发射极,本发明解决了无功补偿电容安装不便且容值不易匹配的技术问题。

技术领域

本发明涉及一种逆变器,具体的涉及一种基于无功补偿技术的船用逆变器。

背景技术

逆变器是把直流电能转变成交流电的设备,它由逆变桥、控制逻辑和滤波电路组成。现阶段,随着大功率半导体技术的快速发展,尤其是IGBT和P-MOS器件的出现,使得各种高频大功率DC/DC变换器和变频器得以广泛应用,然而,由于频率和功率的增加,逆变器会对系统其它部件和自身产生干扰,影响输出电源质量。

特别是船用逆变器,它的输入电力主要来源于发电机组,谐波含量高,谐波严重威胁电力环境,更加会对逆变输出电源的质量产生干扰,影响船舶用电设备的正常使用。

为了减少因逆变器中功率管高频开关过程中造成的干扰,同时为电源系统提供无功支撑,需要在逆变器正负极两端假装有滤波组件和电容器组件,不仅造成系统繁杂,还需要对解决功率和无功补偿容值的匹配问题。

发明内容

本发明的一个目的是解决至少上述问题,并提供至少后面将说明的优点。

为了克服现有上述现有逆变器中的缺点,本发明的目的在于提供一种基于无功补偿技术的船用逆变器,解决了无功补偿电容安装不便且容值不易匹配的技术问题。

为了实现根据本发明的这些目的和其它优点,提供了一种基于无功补偿技术的船用逆变器,包括:

绝缘衬套,其内间隔设置有两个开口方向相反的第一矩形凹腔和第二矩形凹腔,所述第一矩形凹腔和第二矩形凹腔之间夹设有第三矩形凹腔;

第一IGBT,其安装在所述第一矩形凹腔中;

第二IGBT,其安装在所述第二矩形凹腔中;以及

电容器组件,其单侧滑动安装在所述第三矩形凹腔中;

其中,所述电容器组件的两个电极板平行间隔设置在所述第三矩形凹腔中,且两个所述电极板之间的间距离可调整;

所述第一IGBT的发射极连接至所述第二IGBT的集电极,第一电极板的外侧端从所述第三矩形凹腔中向外引出并连接至所述第一IGBT集电极,第二电极板的外侧端从所述第三矩形凹腔中向外引出并连接至所述第二IGBT发射极。

优选的,所述第一IGBT的栅极和发射极从所述第一矩形凹腔开口中引出,所述第二IGBT的栅极和发射极从所述第二矩形凹腔开口中引出,所述第一矩形凹腔开口顶部覆盖设置一第一绝缘层,所述第一绝缘层延伸至所述第二矩形凹腔底部的所述绝缘衬套上,所述第一绝缘层上开设有第一孔槽,所述第一孔槽的位置与第一IGBT发射极的位置对应,所述第二矩形凹腔底部的所述绝缘衬套上贯穿开设有第二孔槽,所述第二孔槽贯穿所述第一绝缘层;

所述第一绝缘层外侧设置第一导线,所述第一导线第一端贯穿所述第一孔槽连接所述第一IGBT发射极,所述第一导线第二端贯穿所述第二孔槽连接第二IGBT集电极。

优选的,所述第三矩形凹腔的开口方向与所述第二矩形凹腔开口方向一致,所述第三矩形凹腔两侧分别设置有一第一屏蔽层,所述第一屏蔽层所在平面与所述开口平面垂直,且所述第一屏蔽层面积覆盖所述IGBT的纵向端面。

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