[发明专利]高温下低介电损耗的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法

权利要求书

1.高温下低介电损耗的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法，其特征是包括以下步骤：

1)、以K₂CO₃、Na₂CO₃、Nb₂O₅、Bi₂O₃、Sb₂O₃、TiO₂作为初始原料，按照(1-x)Bi_0.5Na_0.5TiO₃-x(K_0.5Na_0.5)(Nb_0.96Sb_0.04)O₃计量比称取初始原料，并进行混料处理，得混合粉料；

所述x为0.01～0.05；

2)、将步骤1)所得的混合粉料先于(850±50)℃下预烧(6±0.5)小时；

3)、将步骤2)所得的预烧后粉料研磨至粒径为1～2微米的细微粉体；然后加入粘合剂，进行造粒和压片，得陶瓷圆片坯体；

粘合剂选用质量浓度为7～10％的聚乙烯醇水溶液；粘合剂占混合粉料总重的0.3‰～0.8‰；

4)、先将陶瓷圆片坯体于1120～1180℃烧结2小时，然后用银作为电极，披覆在所得的烧结后陶瓷片的上下两面，在5千伏/毫米的高压下极化(20±2)分钟，得到高温下低介电损耗的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷。

2.根据权利要求1所述的高温下低介电损耗的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法，其特征是：

所述步骤1)中，混料处理时间为(12±2)小时；

作为初始原料的K₂CO₃、Na₂CO₃、Nb₂O₅、Bi₂O₃、Sb₂O₃、TiO₂的粒径为30～50μm。

3.根据权利要求1或2所述的高温下低介电损耗的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法，其特征是：

所述步骤3)中，陶瓷圆片坯体直径为10毫米、厚度为1毫米。