[发明专利]基于多层PN结的移相器及其制造和使用方法

权利要求书

1.一种光移相器包含：

基片；设置在基片上的p型掺杂电极和n型掺杂电极，p型掺杂电极和n型掺杂电极于其接触面上构成pn结；

设置在p型掺杂电极和n型掺杂电极中其一电极上且与另外一个电极电连接的第一掺杂半导体层，第一掺杂半导体层具有与p型掺杂电极和n型掺杂电极中另外一个电极相同的掺杂类型；

设置在第一掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层，所述第二掺杂半导体层具有与p型掺杂电极和n型掺杂电极中其一相同的掺杂类型；

设置在第二掺杂半导体层上的第三掺杂半导体层，所述第三掺杂半导体层具有与p型掺杂电极和n型掺杂电极中另外一个相同的掺杂类型；

第一竖向区域，利用p型掺杂电极和n型掺杂电极中其一与第二掺杂半导体层电连接；和第二竖向区域，利用p型掺杂电极和n型掺杂电极中另外一个与第三掺杂半导体层电连接，其特征在于第一掺杂半导体层至少与第二竖向区域及p型掺杂电极和n型掺杂电极中另外一个至少一个电连接；

还包含设置在第三掺杂半导体层上的第四掺杂半导体层，所述第四掺杂半导体层具有与p型掺杂电极和n型掺杂电极中其一相同的掺杂类型，其中第一竖向区域利用第二掺杂半导体层和p型掺杂电极和n型掺杂电极中其一 与第四掺杂半导体层电连接。

2.如权利要求1所述的光移相器，其特征在于第一竖向区域沿第一掺杂半导体层的第一侧壁设置，而第二竖向区域沿第二掺杂半导体层的第一侧壁设置，所述第二掺杂半导体层的第一侧壁与第一掺杂半导体层的第一侧壁相对立。

3.如权利要求1所述的光移相器，还包含设置在第三掺杂半导体层最上表面和第一和第二竖向区域上或上方的覆层。

4.如权利要求1所述的光移相器，其特征在于第二竖向区域电连接第三掺杂半导体层，第一掺杂半导体层，及p型掺杂电极和n型掺杂电极中的另外一个。

5.如权利要求1所述的光移相器，其特征在于第一掺杂半导体层位于n型掺杂电极上，与p型掺杂电极电连接，且具有与p型掺杂电极相同的掺杂类型。

6.如权利要求5所述的光移相器，其特征在于第二掺杂半导体层和第一竖向区域具有与n型掺杂电极相同的掺杂类型。

7.如权利要求1所述的光移相器，其特征在于p型掺杂电极，n型掺杂电极，第一掺杂半导体层，和第二掺杂半导体层各自都包含单晶或多晶硅。

8.如权利要求1所述的光移相器，其特征在于覆层包含氧化硅，氮化硅或氧氮化硅。

9.如权利要求1所述的光移相器，其特征在于基片包含晶体半导体基片。

10.如权利要求1所述的光移相器，其特征在于基片包含第一绝缘体层，且p型掺杂电极和n型掺杂电极位于第一绝缘体层上。

11.如权利要求10所述的光移相器，其特征在于第一绝缘体层包含氧化硅，氮化硅或氧氮化硅。

12.如权利要求11所述的光移相器，其特征在于基片包含绝缘层上硅基片，且p型掺杂电极和n型掺杂电极位于绝缘层上硅基片的绝缘体上。