[发明专利]CMP研磨方法

权利要求书

1.一种CMP工艺方法，其特征在于，包括以下步骤；

提供一待研磨晶圆，所述待研磨晶圆包括中心区域和边缘区域，所述中心区域位于所述边缘区域内侧；

测量所述待研磨晶圆的中心区域和边缘区域的膜厚；

对所述待研磨晶圆执行第一次研磨工艺，所述第一次研磨工艺满足：A＞B；其中，A为所述中心区域和边缘区域的膜厚较大者的研磨去除率，B为所述中心区域和边缘区域的膜厚较小者的研磨去除率；以及

对所述待研磨晶圆执行第二次研磨工艺，所述第二次研磨工艺满足：C＞D，C＜A，D＜B；其中，C为所述中心区域和边缘区域的膜厚较小者的研磨去除率，D为所述中心区域和边缘区域的膜厚较大者的研磨去除率。

2.如权利要求1所述的CMP工艺方法，其特征在于，所述中心区域的形状为圆形，且所述中心区域的圆心与所述待研磨晶圆的圆心重叠，所述边缘区域的形状为圆环。

3.如权利要求2所述的CMP工艺方法，其特征在于，所述中心区域的半径与所述边缘区域的圆环半径比为2:1～5:1。

4.如权利要求3所述的CMP工艺方法，其特征在于，测量所述待研磨晶圆的中心区域和边缘区域的膜厚的方法为：

以所述待研磨晶圆的直径为X轴，圆心为原点，在X轴上分别采集所述中心区域和边缘区域中多个不同位置的点的膜厚，以测量所述待研磨晶圆的表面特征整体呈凹面或凸面。

5.如权利要求4所述的CMP工艺方法，其特征在于，

当所述待研磨晶圆的表面特征整体呈凸面时，A为所述中心区域的研磨去除率，B为所述边缘区域的研磨去除率，在所述第一次研磨工艺中，所述中心区域的工艺参数中的压力、转速和研磨时间中的至少一个大于所述边缘区域相对应的工艺参数。

6.如权利要求4所述的CMP工艺方法，其特征在于，当所述待研磨晶圆的表面特征整体呈凹面时，A为所述边缘区域的研磨去除率，B为所述中心区域的研磨去除率，在所述第一次研磨工艺中，所述边缘区域的工艺参数中的压力、转速和研磨时间中的至少一个大于所述中心区域相对应的工艺参数。

7.如权利要求5或6所述的CMP工艺方法，其特征在于，通过降低所述中心区域和边缘区域在所述第二次研磨工艺的工艺参数中的压力、转速、研磨时间中至少一个，使得所述第二次研磨工艺满足：C＞D，C＜A，D＜B。

8.如权利要求7所述的CMP工艺方法，其特征在于，所述中心区域和边缘区域的膜厚较小者的研磨去除率C满足：C＝(50％-95％)*A。

9.如权利要求8所述的CMP工艺方法，其特征在于，所述中心区域和边缘区域的膜厚较大者的研磨去除率D满足：D＝(50％-95％)*B。

10.如权利要求9所述的CMP工艺方法，其特征在于，所述待研磨晶圆包括衬底，以及依次形成于在所述衬底上的金属层和层间介质层，所述层间介质层包括依次形成于所述金属层上的第一子层间介质层和第二子层间介质层，所述第一子介质层的材料为二氧化硅，所述第二子层间介质层的材料氟硅玻璃或无掺杂硅玻璃。

11.如权利要求10所述的CMP工艺方法，其特征在于，所述CMP工艺方法的研磨对象为所述层间介质层。