[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

多个第1配线层，在第1方向上积层；

半导体层，在所述多个第1配线层的第1区域内沿所述第1方向延伸；

电荷累积膜，设置在所述多个第1配线层与所述半导体层之间；

第1导电层，具有第1主体部及第1突出部，所述第1主体部设置在所述多个第1配线层中的最下层的下方，且与所述第1区域在所述第1方向上重叠，所述第1突出部从所述第1主体部向与所述第1方向交叉的第2方向突出，且与在所述第2方向上邻接于所述第1区域的第2区域在所述第1方向上重叠；

接触插塞，设置在所述第1导电层的所述第1突出部上，在所述多个第1配线层的所述第2区域内沿所述第1方向延伸；

绝缘膜，设置在所述接触插塞与所述多个第1配线层之间；

第2导电层，具有第2主体部及第2突出部，所述第2主体部设置在所述第1导电层的所述第1主体部上，且与所述半导体层相接，所述第2突出部设置在所述第1突出部上，且相对于所述第2主体部突出延伸；以及

第1层，设置在所述第1突出部上，与所述第2突出部及所述绝缘膜相接，且在所述第2突出部与所述绝缘膜之间延伸；且

所述第2突出部及所述第1层中在所述第2主体部及所述第2突出部的交界与所述绝缘膜之间延伸的部分的长度长于从所述第2主体部及所述第2突出部的交界到所述绝缘膜的直线距离。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第2导电层的所述第2突出部与所述第1层蜿蜒。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中所述第1突出部的平面形状为四边形。

4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中所述第1层含有非晶硅或多晶硅。

5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中所述第1层含有掺杂了磷(P)、硼(B)、或碳(C)的硅(Si)。

6.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中所述第2导电层的材料与所述第1层的材料不同。

7.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其还具备设置在所述第1突出部与所述第1层之间的绝缘层。

8.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其还具备设置在所述半导体层的上方且与所述接触插塞电连接的配线。