[发明专利]一种改善CdSe/ZnS量子点QLED器件性能的有机分子掺杂的制备方法在审

申请号：	201910698784.2	申请日：	2019-07-31
公开（公告）号：	CN110571359A	公开（公告）日：	2019-12-13
发明（设计）人：	胡俊涛;朱钱鹏;林钰涵;李杰;王鹏;罗派峰	申请（专利权）人：	合肥工业大学
主分类号：	H01L51/56	分类号：	H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54;C09K11/02;C09K11/88
代理公司：	34112 安徽合肥华信知识产权代理有限公司	代理人：	余成俊
地址：	230009 安***	国省代码：	安徽;34
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摘要：
搜索关键词：	量子点掺杂发光层有机小分子薄膜形貌亮度提升器件效率器件性能有机分子掺杂的高效率制备光滑团聚制作
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【权利要求书】：

1.一种改善CdSe/ZnS量子点QLED器件性能的有机分子掺杂的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）CBP有机分子溶液的制备：取一定量的CBP粉末溶于甲苯中，形成浓度为25mg/mL 的无色透明溶液；

（2）CdSe/ZnS量子点与CBP有机分子混合溶液的制备：分别取一定量的步骤（1）制得的CBP有机分子溶液与CdSe/ZnS量子点溶液混合，形成不同质量比的红色混合溶液；

（3）CdSe/ZnS量子点与CBP有机分子混合溶液的薄膜制备：将步骤（2）制得的混合溶液移至手套箱中，旋涂不同质量比的溶液，之后放置于加热平台上退火，得到淡红色的薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种改善CdSe/ZnS量子点QLED器件性能的有机分子掺杂的制备方法，其特征在于：步骤（1）中将CBP粉末溶于甲苯中，并放置在加热台上，60~80℃加热30~60min，让CBP完全溶解。

3.根据权利要求1所述的一种改善CdSe/ZnS量子点QLED器件性能的有机分子掺杂的制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述的CdSe/ZnS量子点溶液的浓度为20mg/mL，其溶剂是甲苯。

4.根据权利要求3所述的一种改善CdSe/ZnS量子点QLED器件性能的有机分子掺杂的制备方法，其特征在于：步骤（2）中分别制备4种不同质量比的混合溶液，CBP:CdSe/ZnS的质量比分别为：0, 0.04,0.06,0.08。

5.根据权利要求1所述的一种改善CdSe/ZnS量子点QLED器件性能的有机分子掺杂的制备方法，其特征在于：步骤（3）中所述的退火的温度为100~120℃，退火时间为10~20min。

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