[发明专利]用于处理基板的竖炉和用于其中的衬管在审
申请号: | 201910699288.9 | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN110828331A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | F·威格 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/455 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 丁晓峰 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 中的 | ||
1.一种用于处理多个基板的竖炉,其包括:
外反应管;以及
衬管,所述衬管构造和布置成在所述外反应管的内部中延伸并且为大致圆柱形并且由顶端和在下端处的下部衬管开口界定并且限定内部空间以用于容纳具有基板的基板船;
气体通道,所述气体通道限定在所述衬管的外壁和所述反应管的内壁之间;
所述衬管设置有在一侧上并且从所述内部空间延伸到所述气体通道的至少一个排气孔;其中所述衬管的外壁和所述反应管的内壁中的至少一个设置有至少一个流动偏转器,所述至少一个流动偏转器从相应的壁径向突出到所述气体通道中。
2.根据权利要求1所述的竖炉,其中所述流动偏转器至少部分地环绕所述衬管,使得在中心轴线的方向上通过所述气体通道的气流由所述流动偏转器阻挡至少一次。
3.根据权利要求1所述的竖炉,其中所述流动偏转器从相应的壁径向突出所述气体通道的局部宽度的至少75%的距离。
4.根据权利要求1所述的竖炉,其中所述流动偏转器在相应的壁上大致切向地延伸。
5.根据权利要求1所述的竖炉,其中所述流动偏转器包括孔流动偏转器,所述孔流动偏转器布置在距所述衬管中的所述排气孔的10mm内。
6.根据权利要求5所述的竖炉,其中所述孔流动偏转器相对于所述衬管中的所述排气孔朝向下侧布置。
7.根据权利要求5所述的竖炉,其中所述孔流动偏转器设置有在顶部的方向上平行于所述反应管的中心轴线定向的直立脊。
8.根据权利要求1所述的竖炉,其中所述排气孔为狭缝形状,并且所述狭缝的短侧在平行于所述反应管的中心轴线的方向上定向。
9.根据权利要求1所述的竖炉,其中竖直阵列中的多个排气孔设置在所述衬管中。
10.根据权利要求1所述的竖炉,其中所述竖炉在所述衬管的内部空间中设置有平行于中心轴线延伸的喷射器以在所述内部空间中提供工艺气体。
11.根据权利要求10所述的竖炉,其中所述衬管设置有在所述气体通道中平行于所述中心轴线延伸的凸起以容纳所述内部空间中的所述喷射器。
12.根据权利要求10所述的竖炉,其中所述喷射器相对于所述中心轴线与所述开口相对设置。
13.根据权利要求1所述的竖炉,其中多个流动偏转器在所述气体通道中产生曲折的流动路径并且所述流动偏转器包括挡板。
14.根据权利要求1所述的竖炉,其中所述衬管在所述衬管的顶端处设置有敞开锥形顶端。
15.根据权利要求1所述的竖炉,其中所述炉设置有真空泵,所述真空泵构造和布置成经由所述衬管中的所述气排孔和所述气体通道从所述内部空间去除气体。
16.根据权利要求1所述的竖炉,其中所述竖炉在所述衬管的内部空间中设置有喷射器,所述喷射器平行于所述中心轴线延伸并且连接到工艺气体源。
17.根据权利要求1所述的竖炉,其中所述工艺气体源包括构造和布置成蒸发正硅酸乙脂(TEOS)的前体气体蒸发器。
18.一种衬管,其构造成在竖炉的外反应管的内部中延伸以用于处理多个基板,所述衬管为大致圆柱形,具有中心轴线,并且由顶端和在下端处的下部衬管开口界定并且限定所述衬管内的内部空间以用于容纳具有基板的基板船;所述衬管设置有在一侧上并且从所述内部空间延伸到所述衬管的外侧的至少一个排气孔;所述衬管设置有从所述衬管的外壁径向突出的至少一个流动偏转器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASMIP控股有限公司,未经ASMIP控股有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910699288.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:超声波检查装置及超声波检查方法
- 下一篇:车辆用灯具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造