[发明专利]一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法

权利要求书

1.一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法，其特征在于：本方法针对wafer上进行不同IC盖印内容使用，包括如下步骤：

S1：通过激光切割设备对wafer进行激光切割，在wafer的左右两侧各切割出4颗或者更多单颗IC放置孔；

S2：丢弃wafer上切掉的8颗或者更多IC，在wafer的背面粘上胶带，制成单颗IC的盖印治具；

S3：将一条需要镭射不同盖印的基板跳过盖印工站，将基板完整契合在盖印治具上，对盖印治具的IC孔位进行切除后，放入单颗IC的盖印治具，可最多一次盖印8颗或者更多相同内容的单颗IC。

2.根据权利要求1所述的一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法，其特征在于：所述激光切割设备为激光汽化切割、激光熔化切割、激光氧气切割中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法，其特征在于：所述单颗IC的盖印治具以S1中切掉的wafer为基底，并在wafer底部贴上胶带形成，盖印治具具有成型的IC放置孔，所述IC放置孔可以是8个或8个以上。

4.根据权利要求1所述的一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法，其特征在于：所述盖印工站盖印方式为镭射盖印。

5.根据权利要求1所述的一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法，其特征在于：所述步骤S1中，如需对单颗IC进行盖印，在步骤S2无需贴胶带。

6.根据权利要求1所述的一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法，其特征在于：所述步骤S1中描述的单颗IC放置孔切割尺寸根据IC实际大小确定。