[发明专利]电流检测电路

说明书

根据一实施方式，电流检测电路具备：常开型的第一开关元件，具有源极、漏极以及栅极；常关型的第二开关元件，具有与上述第一开关元件的源极连接的漏极、与上述第一开关元件的栅极连接的源极、和栅极；以及，输出与上述第二开关元件的漏极和源极间的电压相应的电压的差动放大电路。

关联申请

本申请主张享受2018年12月26日申请的日本专利申请号2018－243301的优先权，该日本专利申请的全部内容被引用在本申请中。

技术领域

本实施方式一般来说涉及电流检测电路。

背景技术

以往，公开了将常开型的开关元件与常关型的开关元件级联连接而得到的半导体装置。例如，常开型的开关元件由以GaN(氮化镓)、SiC(碳化硅)为材料的晶体管构成。通过使用由GaN、SiC构成的常开型的开关元件，从而提供高耐压且低损失的半导体装置。另一方面，由于具备常开型的开关元件，因此有例如对常开型的开关元件的泄漏电流进行响应而不能准确地检测半导体装置的输出电流的情况。期望的是，一种能够使具备常开型的开关元件的半导体装置的特性活用、并且能够准确地检测输出电流的可靠性高的电流检测电路。

发明内容

一实施方式提供一种能够对具有常开型的开关元件和常关型的开关元件的级联连接的半导体装置的输出电流进行准确地检测的、可靠性高的电流检测电路。

根据一实施方式，电流检测电路具备：常开型的第一开关元件，具有源极、漏极以及栅极；常关型的第二开关元件，具有与上述第一开关元件的源极连接的漏极、与上述第一开关元件的栅极连接的源极、和栅极；以及差动放大电路，输出与上述第二开关元件的漏极和源极间的电压相应的电压。

附图说明

图1是表示第一实施方式的电流检测电路的图。

图2是表示常开型的开关元件的特性的图。

图3是表示第二实施方式的电流检测电路的图。

图4是表示第三实施方式的电流检测电路的图。

图5是表示调整电路的构成例的图。

图6是表示第四实施方式的电流检测电路的图。

图7是表示调整电路的其他的构成例的图。

图8是表示调整电路的其他的构成例的图。

图9是表示调整电路的其他的构成例的图。

图10是表示调整电路的其他的构成例的图。

图11是表示第五实施方式的电流检测电路的图。

图12是表示第六实施方式的电流检测电路的图。

图13是表示第七实施方式的电流检测电路的图。

图14是表示第八实施方式的电流检测电路的图。

图15是表示第九实施方式的电流检测电路的图。

具体实施方式

以下参照附图来详细说明涉及实施方式的电流检测电路。另外，本发明并不限定于这些实施方式。

(第一实施方式)

图1是表示第一实施方式的电流检测电路的图。本实施方式的电流检测电路具有常开型的开关元件Q1。开关元件Q1由例如以GaN为材料的N沟道型的MOS晶体管构成。例如，以GaN为材料的MOS晶体管其漏极·源极间的主电流通路由GaN构成。后面有时称为GaN晶体管。