[发明专利]一种硅片化学腐蚀工艺

权利要求书

1.一种硅片化学腐蚀工艺，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、酸试腐蚀

S1、配制酸性腐蚀液待用；

S2、取N₁片硅片，对各硅片的厚度进行检测，其中N₁≥3，且在测量硅片厚度时，每片硅片上抽取至少5个位置进行测量，并以其平均值V₁作为该硅片的平均厚度；

S3、将硅片设置在片架中固定后浸入酸性腐蚀液中，腐蚀时间为预设时间T₁，腐蚀结束后将硅片取出酸性腐蚀液，并用自动冲水机冲洗10个循环；

S4、将经过腐蚀处理的硅片甩干后，取N₁片硅片，对各硅片的厚度进行检测，且在测量硅片厚度时，每片硅片上抽取至少5个位置进行测量，并以其平均值V₂作为该硅片的平均厚度，根据V₁与V₂来计算腐蚀去除量和腐蚀速率Q₁，Q₁＝(V₂-V₁)/T₁，根据腐蚀速率、平均厚度V₂以及需要腐蚀的厚度h来制定腐蚀时间T₂，具体的，T₂＝h/Q₁，其中h为20±5um；

步骤二、酸腐蚀

将经过酸试腐蚀的硅片加入酸性腐蚀液中，经过时间T₂后完成酸腐蚀，将腐蚀后的硅片取出用水冲洗、甩干后待用；

步骤三、碱试腐蚀

SS1、配制碱性腐蚀液；

SS2、取N₁片硅片，对各硅片的厚度进行检测，且在测量硅片厚度时，每片硅片上抽取至少3个位置进行测量，并以其平均值V₃作为该硅片的平均厚度；

SS3、将硅片设置在片架中固定后浸入碱性腐蚀液中，腐蚀时间为预设时间T₃，腐蚀结束后将硅片取出碱性腐蚀液，并用自动冲水机冲洗10个循环后甩干；

SS4、取N₁片硅片，对各硅片的厚度进行检测，且在测量硅片厚度时，每片硅片上抽取至少5个位置进行测量，根据硅片厚度变化计算腐蚀去除量和腐蚀速率并根据腐蚀速率与需要腐蚀的厚度H来制定腐蚀时间T₄，其中H为8±2um；

步骤四、碱腐蚀

将上一步骤经过碱腐蚀的硅片加入碱性腐蚀液中，经过腐蚀时间T₄后完成碱腐蚀，将腐蚀后的硅片取出用水冲洗、甩干后完成减薄。

2.根据权利要求1所述的一种硅片化学腐蚀工艺，其特征在于，所述酸性腐蚀液由氢氟酸、冰乙酸与硝酸按照体积比1:1:4.5均匀混合得到，酸性腐蚀液的使用温度为-5±2℃。

3.根据权利要求1所述的一种硅片化学腐蚀工艺，其特征在于，步骤三中预设的腐蚀时间T₁为300s。

4.根据权利要求1所述的一种硅片化学腐蚀工艺，其特征在于，步骤二中按照步骤S4方法测量硅片的平均厚度V₃,若硅片厚度未达到工艺要求，计算腐蚀速率Q₂，并根据Q₂以及还需要腐蚀的厚度来制定腐蚀时间T₃，其中T₃＝(h-V₂+V₃)/Q₂，重复进行该步骤至酸腐蚀量达到工艺要求后冲洗、甩干待用。

5.根据权利要求1所述的一种硅片化学腐蚀工艺，其特征在于，所述碱性腐蚀液为氢氧化钾与去离子水按照重量比1:1配制而成，碱性腐蚀液的使用温度为95±2℃。

6.根据权利要求1所述的一种硅片化学腐蚀工艺，其特征在于，步骤三中预设腐蚀时间T₃为600s。