[发明专利]一种BOE腐蚀的工艺方法

权利要求书

1.一种BOE腐蚀的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、将硅片清洗后加入烘箱中，在120℃，真空度-720pa的条件下烘干处理60min，烘干后的硅片在经过匀胶后在温度为100℃的烘箱中烘烤40min后待用；

步骤二、用有源区光刻版作为掩膜，将硅片紫外线曝光15-20秒，并将曝光后的硅片浸入显影液中显影，显影后的硅片放入温度为150℃烘箱中烘烤，时间为60min；

步骤三、将硅片放置在片架上，再将片架浸入BOE腐蚀槽中，BOE腐蚀槽中装乘有BOE腐蚀液，腐蚀液的温度通过槽体加热器(4)加热至40±2℃，将硅片在酸液中上下运动60-80S后，把片架整体提出液面，1S后，再放入酸液中继续上下运动，循环腐蚀12min，当达到腐蚀时间后，将片架从腐蚀液中取出后，用去离子水冲洗干净，通过甩干机甩干待用；

步骤四、将甩干后的硅片在金相显微镜下镜检，保证硅片有源区全部腐蚀干净彻底，表面无染色，光刻胶保护完好；

步骤五、将通过检验的硅片放入去胶液中浸泡去胶，用去离子水冲洗后甩干机甩干，检验合格后进入下一工序；

所述BOE腐蚀槽包括内槽(2)，内槽(2)的底部设置有槽内匀流板(3)，槽内匀流板(3)与内槽(2)底部之间设置有槽体加热器(4)，所述内槽(2)的开口处套接有溢流槽(5)，所述溢流槽(5)的底部低于内槽(2)的开口，溢流槽(5)的顶部高出内槽(2)的开口；

所述内槽(2)与溢流槽(5)通过外接管道连接，其中外接管道上设置有循环泵(6)，外接管道的两端分别连接内槽(2)的底部与溢流槽(5)的底部；

所述BOE腐蚀槽还包括液位检测装置(1)，液位检测装置(1)用于检测内槽(2)的液位与溢流槽(5)的液位。

2.根据权利要求1所述的一种BOE腐蚀的工艺方法，其特征在于，步骤一中硅片的匀胶通过轨道式全自动匀胶机，光刻胶采用BN308光刻胶，匀胶机转速为3000rpm，时间30s。

3.根据权利要求1所述的一种BOE腐蚀的工艺方法，其特征在于，步骤二中显影液为RFJ2200型显影液，显影时间为8-10min。

4.根据权利要求1所述的一种BOE腐蚀的工艺方法，其特征在于，步骤五中去胶液为浓硫酸与双氧水按照体积比4：1配制而成，硅片在去胶液中的浸泡时间为8-10min。