[发明专利]一种高铜-低钨Cu-W复合材料的制备方法有效
申请号: | 201910701839.0 | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN110343888B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 李秀青;魏世忠;杨晴霞;张敏杰;徐流杰;周玉成;陈冲;毛丰;潘昆明;张程;张国赏;游龙;刘伟 | 申请(专利权)人: | 河南科技大学 |
主分类号: | C22C1/04 | 分类号: | C22C1/04;C22C9/00;C22C27/04 |
代理公司: | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 时亚娟 |
地址: | 471000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cu 复合材料 制备 方法 | ||
本发明涉及一种高铜‑低钨Cu‑W复合材料的制备方法,属于金属及其复合材料领域,首先制备Cu质量分数为30%的高钨‑低铜纳米复合粉末,以硝酸铜和钨酸钾为原料,配制成溶液并混合,经调pH值后,水热反应,经水洗、沉淀、干燥、焙烧得到WO3‑CuO混合粉末;再将WO3‑CuO混合粉末经氢气还原后得到高钨‑低铜纳米复合粉末;然后在高钨‑低铜纳米复合粉末中掺入纳米Cu粉,然后均匀混合,得到高铜‑低钨纳米复合粉末。经热等静压烧结后,得到高性能高铜‑低钨复合材料。本发明工艺过程简单,所制备的高铜‑低钨复合材料,其性能明显优于公开报道的同成分复合材料的性能指标,具有十分广阔的应用前景和推广价值。
技术领域
本发明属于金属及其复合材料材料领域,具体地,涉及一种高铜-低钨Cu-W复合材料的制备方法。
背景技术
W-Cu复合材料兼具金属W的高熔点、高密度、高强度、耐烧蚀和金属Cu的高导电、高导热等特点,从而在军工、电子、航空航天、机械等工程领域得到了广泛应用。近年来,随着科技发展日新月异,高铜-低钨Cu-W复合材料因拥有一系列优异性能,使用范围越来越广,逐渐成为人们的研究热点之一。但截至目前,高铜-低钨Cu-W复合材料的开发进展缓慢,主要原因是W与Cu原子不固溶,且熔点相差很大,很难制备出高性能高铜-低钨Cu-W复合材料。
目前,高铜-低钨Cu-W复合材料主要采用Cu粉和W粉直接机械混粉或CuO和WO3直接机械混粉再热还原得到高铜低钨复合粉体,然后烧结成材料,往往因为Cu相与W相结合力较差导致其性能较低。众所周知,高温高压水热反应可用来制备具有Cu包W核壳结构的W-Cu复合粉末,形成该核壳结构可极大提高材料中W相与Cu相的结合力,有利于复合材料性能的提高。但水热法存在技术上的局限性,如Cu离子流失,只能制备低铜型W-Cu复合粉末,其铜含量一般小于30%。中国专利CN106077695B公开了一种以硝酸铜、偏钨酸铵和草酸为原料制备高铜钨铜纳米复合粉末的方法,工艺控制非常繁琐,而且由于草酸在液体中的溶解度很低,必将导致复合粉体的生产效率非常低,也将严重影响随后制备复合材料的生产效率。为满足科技发展对高铜型Cu-W复合材料的需求,很有必要创新其制备工艺。
目前,高铜低钨Cu-W复合材料的烧结方法主要采用无压烧结(真空烧结或气氛烧结),然后通过进一步的变形手段来改善其性能以满足使用要求,工序繁琐,生产周期长。热等静压是一种高性能材料生产和新材料开发不可或缺的手段,可以直接粉末成型,使用氮气或氩气作加压介质,使粉末直接加热加压烧结成型,工件可以达到接近100%致密化,整体力学性能优异,无需进一步热变形来提高性能,工艺简单且流程短,有利于提高生产率和大规模推广。目前,高铜低钨Cu-W复合材料的这种烧结方法尚未见公开报道。
发明内容
为了解决现有技术中的不足,本发明的目的在于提供一种高铜-低钨Cu-W复合材料的制备方法,所述制备方法将水热法与机械混合相结合来制备高铜型W-Cu复合粉末,采用采用热等静压烧结将复合粉末烧结成型,制备出高性能的高铜-低钨Cu-W复合材料,工艺简单流程短,含量精准可控,适用于大规模工业生产。
为了实现上述目的,本发明采用的具体方案为:
一种高铜-低钨Cu-W复合材料的制备方法,包括如下步骤:
步骤一、按照W与Cu的重量百分比为7:3的比例称取钨酸钾和硝酸铜;分别在钨酸钾和硝酸铜中加入蒸馏水,并用电磁搅拌器进行搅拌,得到钨酸钾水溶液和硝酸铜水溶液;将所述钨酸钾水溶液缓慢倒入硝酸铜水溶液中,并用电磁搅拌器进行不断搅拌,混合均匀得到悬浊液;使用氨水将所得悬浊液的pH值调节为5.0-5.5,备用;
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