[发明专利]一种硅基扇出型晶圆级封装方法及结构

权利要求书

1.一种硅基扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供硅基，在所述硅基正面刻蚀散热通道并沉积截止层；

在所述截止层上键合第一玻璃载板；

在所述硅基背面刻蚀出凹槽，埋入芯片并用干膜材料填满；

利用光刻在芯片的焊盘处开口，形成第一层布线；

在第二玻璃载板上依次制作钝化层、n层布线和微凸点，并与所述第一层布线键合；

拆解第二玻璃载板，并制作阻焊层和凸点；

拆解第一玻璃载板，切成单颗芯片，完成封装。

2.如权利要求1所述的硅基扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，在所述硅基背面刻蚀出凹槽，埋入芯片并用干膜材料填满包括：

通过研磨或刻蚀工艺将所述硅基背面减薄至目标厚度，再刻蚀出凹槽；

通过导热粘合胶将芯片埋入所述凹槽中，芯片的焊盘朝外，所述导热粘合胶为聚合物材料；

使用真空压膜技术将芯片与硅基间的空隙用干膜材料填满，并将表面制作平整；其中，

所述凹槽嵌入至所述散热通道的深度不小于1μm；

埋入芯片后所述芯片形成的高度与所述硅基平面的高度误差不超过5μm。

3.如权利要求2所述的硅基扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，所述凹槽的数量大于或等于1，其深度不低于10μm；每个凹槽中埋入一个芯片或者多个芯片。

4.如权利要求2所述的硅基扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，所述干膜材料为包括树脂类和聚酰亚胺类在内的聚合物材质。

5.如权利要求1所述的硅基扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，拆解第二玻璃载板，并制作阻焊层和凸点包括：

将所述第二玻璃载板通过激光解键合方式拆解下来，并制作最后一层布线；

再在表面形成阻焊层和凸点。

6.如权利要求1所述的硅基扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一玻璃载板通过临时键合胶与所述截止层键合，所述第一玻璃载板和所述第二玻璃载板均包括键合玻璃和形成在所述键合玻璃上的临时键合激光反应层；其中，

所述键合玻璃的厚度不小于100μm；所述临时键合胶的厚度不小于1μm，所述临时键合激光反应层的厚度不小于0.1μm。

7.如权利要求1所述的硅基扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，所述散热通道的宽度、长度和深度均不低于1μm，所述散热通道的数量不小于1。

8.如权利要求1所述的硅基扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，所述截止层的材质为无机材料的一种或多种，或金属材料的一种或多种，其厚度不小于0.1μm，

所述无机材料包括SiO2、SiC和SiN；

所述金属材料包括Al、Cu、Ni、Sn和Au。

9.一种硅基扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，通过权利要求1-8任一所述的硅基扇出型晶圆级封装方法制作而成。