[发明专利]亚波长介质柱阵列结构的超材料双功能太赫兹波片

权利要求书

1.一种亚波长介质柱阵列结构的超材料双功能太赫兹波片，其特征是，由纯硅介质基底(1)与介质柱阵列(2)构成，在直径1～12英寸、厚度100～2000μm高阻硅片上按照超材料结构布图设计、采用光刻技术一次成型制作的介质柱阵列(2)位于长方体纯硅介质基底(1)正上方，介质柱阵列(2)高度h为20～500μm，纯硅介质基底(1)长度为1～215mm、宽度为1～215mm、纯硅介质基底(1)高度H为上述高阻硅片采用光刻技术一次成型制作介质柱阵列(2)后的剩余厚度，沿水平轴向X与垂直轴向Y双方向，介质柱阵列(2)由介质柱阵列最小结构周期单元(2-1)周期性排布构成，介质柱阵列最小结构周期单元(2-1)包括介质柱阵列最小结构周期单元第一介质柱(2-1-1)与介质柱阵列最小结构周期单元第二介质柱(2-1-2)，介质柱阵列最小结构周期单元(2-1)沿水平轴向X的周期P_X为15～200μm、沿垂直轴向Y的周期P_Y为30～400μm，介质柱阵列最小结构周期单元第一介质柱(2-1-1)长度a₁为8.1～118.0μm、介质柱阵列最小结构周期单元第一介质柱(2-1-1)宽度b₁为5.3～69.0μm、介质柱阵列最小结构周期单元第一介质柱(2-1-1)长度a₁与介质柱阵列最小结构周期单元第一介质柱(2-1-1)高度h₁所在平面与水平轴向X间夹角θ₁为10～80°，介质柱阵列最小结构周期单元第二介质柱(2-1-2)长度a₂为6.9～92.0μm、介质柱阵列最小结构周期单元第二介质柱(2-1-2)宽度b₂为4.8～69.0μm、介质柱阵列最小结构周期单元第二介质柱(2-1-2)长度a₂与介质柱阵列最小结构周期单元第二介质柱(2-1-2)高度h₂所在平面与水平轴向X间夹角θ₂为10～80°，介质柱阵列最小结构周期单元第一介质柱(2-1-1)高度h₁、介质柱阵列最小结构周期单元第二介质柱(2-1-2)高度h₂与介质柱阵列(2)高度h等同，介质柱阵列最小结构周期单元第一介质柱(2-1-1)中心与介质柱阵列最小结构周期单元第二介质柱(2-1-2)中心距离D同P_X相等。