[发明专利]一种大尺寸单晶取段收尾结构及其控制方法

权利要求书

1.一种大尺寸单晶取段收尾结构的控制方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：手动点击开始收尾按钮，同时保持直径控制模块持续运行，快速升高主加热器功率，手动设置收尾初始晶体拉速并缓慢升高，所述晶体直径逐渐缩小至上段部收尾结束，所述上段部晶体收尾形状为圆锥台形结构；

S2：关闭直径控制模块，手动设定下段部中所述晶体的初始拉速并保持不变直至所述下段部收尾结束，所述下段部中最大高度位于两侧最小高度之间，且从最小高度到最大高度之间为可变曲面；

S3：坩埚下移，并使所述晶体缓慢脱离坩埚内熔体液面；同时降低所述晶体的转速和所述坩埚的转速，取出单晶；

其中，所述S1收尾持续时间大于所述S2收尾持续时间；所述晶体在所述S1中初始拉速大于在所述S2中初始拉速；所述晶体在所述S1中收尾高度大于所述S2中收尾高度；所述下段部最大直径大于所述上段部最小直径且小于所述上段部最大直径；

所述取段收尾结构，包括上段部和与所述上段部一体连接的下段部，所述上段部的高度大于所述下段部的高度，所述上段部最大直径与晶体等径段直径相同；所述下段部最大直径大于所述上段部最小直径且小于所述上段部最大直径；所述下段部中最大高度位于两侧最小高度之间，且从最小高度到最大高度之间为可变曲面；

所述上段部为圆锥台形结构；所述上段部大径面为上端面，小径面为下端面；

所述上段部的上端面与所述等径段下端面一体连接。

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸单晶取段收尾结构的控制方法，其特征在于，所述S1中，收尾持续时间为25-45min，结束时所述晶体的收尾生长直径比等径直径缩小10-30mm，收尾高度是为30-50mm。

3.根据权利要求2所述的一种大尺寸单晶取段收尾结构的控制方法，其特征在于，所述S1中，所述主加热器功率升高5-15kW后并保持不变直至收尾结束。

4.根据权利要求3所述的一种大尺寸单晶取段收尾结构的控制方法，其特征在于，所述S1中，所述晶体的收尾初始拉速为50-65mm/hr，在初始拉速基础上逐渐升高且升高幅度为1-6%。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种大尺寸单晶取段收尾结构的控制方法，其特征在于，所述S2中，收尾持续时间为10-15min，收尾高度不大于2mm；所述晶体的初始收尾拉速为2-8 mm/hr并保持不变直至收尾结束。

6.根据权利要求1所述的一种大尺寸单晶取段收尾结构的控制方法，其特征在于，所述S3中，所述坩埚下移高度为30-50mm；所述坩埚的转速在等径生长结束时的坩埚的转速基础上开始降低至1-5r/min；所述晶体的转速在等径生长结束时的晶体的转速基础上开始降低至2-5r/min。

7.根据权利要求1-4、6任一项所述的一种大尺寸单晶取段收尾结构的控制方法，其特征在于，所述晶体等径段直径为240-310mm。