[发明专利]一种压力传感器及制作方法

权利要求书

1.一种压力传感器，其特征在于，包括：下保护层、位于下保护层上的呈平面周期性排列的下电极阵列、压电层、位于压电层上呈平面周期性分布的上电极阵列、上保护层；在所述上保护层和所述下保护层的边缘分别设置上电极阵列的引线和下电极阵列的引线，用于连接外部测量电路。

2.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述上保护层和所述下保护层为透明高分子材料。

3.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述上电极阵列和所述下电极阵列的材料为透明导电材料制备。

4.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述压电层的由透明压电高分子材料制备。

5.一种压力传感器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：制备下保护层，下保护层厚度范围为0.1～1000μm；

S2：在所述下保护层上制备下电极阵列及引线层，其厚度范围为0.1～10μm；

S3：在所述下电极阵列上制备压电层，压电层厚度范围为1～1000μm；

S4：在所述压电层上制备上电极阵列及引线层，其厚度范围为0.1～10μm；

S5：在所述上电极阵列上制备上保护层，上保护层厚度范围为0.1～1000μm；

S6：在所述上电极阵列和所述下电极阵列引线上制作焊盘用于连接外部电路得到传感器；

S7：将所述传感器的所述下电极阵列的焊盘接地、所述上电极阵列的焊盘接高压在高压电场下进行极化处理；所述高压电场的场强范围为100～500MV/m，极化时间1～30min。

6.如权利要求5所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，以所述上保护层、所述下电极阵列、所述上电极阵列或所述压电层为基底进行膜层制备，各层之间热压或粘接。

7.如权利要求5所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述上电极阵列的像素点按行或列排列，相对应的所述下电极阵列的像素点按列或行排列；所述上电极阵列的一行或一列所述像素点与所述下电极阵列的一列或一行像素点共用一根引线。

8.如权利要求5所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述上电极阵列和所述下电极阵列相互对应，所述上电极阵列和所述下电极阵列形成的图案包括但不限于矩形、圆形、菱形、三角形。

9.如权利要求5所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述上电极阵列和所述下电极阵列的像素点面积≤1cm²，引线线宽20～10000μm，线距20～10000μm。

10.如权利要求5所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述上电极阵列、所述下电极阵列、所述压电层通过逐层构建或模板饭制作。