[发明专利]制造半导体元件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：

将Nax划分成p项，其中Nax是在一半导体基板上描绘的一曝光场矩阵中的每一者的一晶粒矩阵中沿一X轴的多个晶粒，且该些p项的每一者至少为1，其中该X轴平行于包围该曝光场矩阵的一最小矩形的一边缘，称为该曝光场矩阵外壳；

将Nay划分成q项，其中Nay是该晶粒矩阵沿一Y轴的多个晶粒，且该些q项的每一者至少为1，其中该Y轴垂直于该X轴；

通过按次序重复将Nbx+1乘以该些p项来形成一序列SNx0，其中Nbx是最接近Rx/Fx的一整数，其中Rx是沿该曝光场矩阵外壳的该X轴的尺寸，并且Fx是沿该X轴的一曝光场尺寸；

通过消除SNx0的一第一元件与一最后元件形成一序列SNx1；

通过将SNx1的该些元件的每一者乘以Dx来形成一序列SNx，其中Dx是沿该X轴的一晶粒尺寸；

通过反转SNx的一次序形成一序列SNxr；

通过按次序重复将Nby+1乘以该些q项来形成一序列SNy0，其中Nby是最接近Ry/Fy的一整数，其中Ry是沿该曝光场矩阵外壳的该Y轴的尺寸，并且Fy是沿该Y轴的一曝光场尺寸；

通过消除SNy0的一第一元件与一最后元件形成一序列SNy1；

通过将SNy1的该些元件的每一者乘以Dy来形成一序列SNy，其中Dy是沿该Y轴的一晶粒尺寸；

通过反转SNy的一次序形成一序列SNyr；以及

在一第三方向上执行p*(Nbx+1)-2步进操作并在该些相邻步进操作的任两者之间、在一第一步进操作之前以及在一最后步进操作之后，交替执行第一序列曝光/步进/曝光操作以及第二序列曝光/步进/曝光操作，其中该些步进操作的每一者的一距离按次序遵循该序列SNx，

其中该些第一序列曝光/步进/曝光操作包括在一第一方向上的q*(Nby+1)-2步进操作与在该些相邻步进操作的任两者之间、在一第一步进操作之前以及在一最后步进操作之后的一曝光操作，其中该些步进操作的每一者的一距离按次序遵循该序列SNy，

其中该些第一序列曝光/步进/曝光操作中的该第一曝光操作在该曝光场矩阵外壳的一角落中的一曝光场的一角落中曝光Nax_1*Nay_1晶粒，以及

其中该些第二序列曝光/步进/曝光操作包括在一第二方向上的q*(Nby+1)-2步进操作与在该些相邻步进操作的任两者之间、在一第一步进操作之前以及在一最后步进操作之后的一曝光操作，其中该些步进操作的每一者的一距离按次序遵循该序列SNyr。