[发明专利]一种继电器外壳用抗冲击材料及其制备方法

权利要求书

1.一种继电器外壳用抗冲击材料，其特征在于，所述继电器外壳用抗冲击材料由以下重量份的原料制成：PC树脂27-30份、ABS树脂16-18份、聚氨酯树脂18-20份、有机硅橡胶8-10份、马来酸酐3-4份、四丁基溴化铵2-4份、甲苯二异氰酸酯1-3份、膨润土4-5份、硅酸铝2-3份、轻质碳酸钙4-5份、纳米二氧化硅2-3份、四乙基四氟硼酸铵2-3份、2-乙基咪唑1-2份、烷基烯酮二聚体2-3份、过氧化苯甲酰1-3份、偶联剂2-3份、增塑剂1-2份、抗氧化剂1-2份。

2.根据权利要求1所述的一种继电器外壳用抗冲击材料，其特征在于：所述偶联剂为乙烯基三甲氧基硅烷、异丁基三乙氧基硅烷、铝酸酯质量比3∶2∶1的混合物。

3.根据权利要求1所述的一种继电器外壳用抗冲击材料，其特征在于：所述增塑剂为邻苯二甲酸二(2-乙基己)酯、邻苯二甲酸二辛酯和邻苯二甲酸二正辛酯中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种继电器外壳用抗冲击材料，其特征在于：所述抗氧化剂为2，4-二甲基-6-叔丁基苯酚、N,N'-二仲丁基对苯二胺、双十二碳醇酯质量比2∶1∶2的混合物。

5.一种继电器外壳用抗冲击材料的制备方法，其特征在于：所述继电器外壳用抗冲击材料的制备方法包括以下步骤：

(1)将聚氨酯树脂加入马来酸酐、四丁基溴化铵于高压反应釜中进行高温高压搅拌混合，得改性树脂备用；

(2)将PC树脂、ABS树脂和有机硅橡胶研磨粉碎后加入去离子水、硅酸铝、膨润土、纳米二氧化硅、烷基烯酮二聚体和2-乙基咪唑于搅拌釜中高速搅拌，得混合料A备用；

(3)将轻质碳酸钙于高温下进行烧结，后研磨粉碎加入甲苯二异氰酸酯、偶联剂、抗氧化剂和四乙基四氟硼酸铵于60-70℃恒温水浴下搅拌均匀，得混合料B备用；

(4)将改性树脂、混合料A、混合料B、过氧化苯甲酰和增塑剂混合后加入混炼机中，于混炼机中分成七区在180-240℃的温度范围内进行混炼，后挤出成型，得继电器外壳用抗冲击材料。

6.根据权利要求5所述的一种继电器外壳用抗冲击材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中高温高压搅拌的温度为200-210℃，压强为18-20MPa，搅拌转速为200-300r/min，搅拌时间为60-80min。

7.根据权利要求5所述的一种继电器外壳用抗冲击材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中高速搅拌的转速为1200-1400r/min，搅拌时间为25-30min。

8.根据权利要求5所述的一种继电器外壳用抗冲击材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中轻质碳酸钙高温烧结的温度为280-300℃，烧结时间为60-80min，且恒温水浴搅拌的转速为120-150r/min，搅拌时间为30-40min。

9.根据权利要求5所述的一种继电器外壳用抗冲击材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中分七区混炼的温度和时间分别为第一区180℃，混炼时间20-30min，第二区200℃，混炼时间30-35min，第三区230℃，混炼时间30-40min，第四区240℃，混炼时间20-25min，第五区200℃，混炼时间30-40min，第六区210℃，混炼时间20-30min，第七区190℃，混炼时间15-20min。