[发明专利]一种碳量子点修饰钙钛矿层的钙钛矿太阳能电池制备方法在审
申请号: | 201910703144.6 | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN110492004A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 王成彦;朱彧;王硕;马瑞新 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 11237 北京市广友专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 张仲波<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 钙钛矿 量子点 电子传输层 空穴传输层 太阳能电池 钙钛矿层 吸光层 修饰层 载流子 太阳能电池制备 电子传输过程 量子点溶液 异丙醇溶液 载流子复合 制备钙钛矿 传输效率 电极 窗口层 低成本 旋涂法 刻蚀 旋涂 修饰 电池 | ||
1.一种碳量子点修饰钙钛矿层的钙钛矿太阳能电池制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)以ITO玻璃作为窗口层进行部分刻蚀;
(2)制备空穴传输层;
(3)在空穴传输层上制备钙钛矿吸光层;
(4)在钙钛矿层上制备碳量子点修饰层;
(5)在碳量子点修饰层上制备电子传输层;
(6)在电子传输层上制备电极。
2.如权利要求1所述使用碳量子点修饰钙钛矿层钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤(2)所述空穴传输层为氧化镍空穴传输层,厚度在10-50nm之间,通过旋涂法制备。
3.如权利要求1所述使用碳量子点修饰钙钛矿层钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤(3)所述钙钛矿吸光层通过一步旋涂法制备,厚度在200-400nm之间。
4.如权利要求1所述使用碳量子点修饰钙钛矿层钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤(4)所述的碳量子点修饰层是由以下方法制备的:首先将一定量的碳量子点粉末分散在异丙醇中,置于超声震荡器中分散5小时,待其溶解后,在已经退火完成的钙钛矿层上旋涂上述溶液,其中碳量子点溶液浓度为0.01-1mg/ml,碳量子点的粒径为5-20nm,碳量子点修饰层厚度为5-30nm。
5.如权利要求1所述使用碳量子点修饰钙钛矿层钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤(5)所述的电子传输层为PCBM电子传输层,厚度为80nm,通过旋涂法制备。
6.如权利要求1所述使用碳量子点修饰钙钛矿层钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:步骤(6)所述电极是Ag电极,厚度为100nm,通过真空蒸镀法制备。
7.根据权利要求1所述的使用碳量子点修饰钙钛矿层钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于具体制备步骤如下:
1)将刻蚀好的ITO透明导电玻璃用玻璃清洗液超声清洗30-60min,再用去离子水超声清洗30-60min,最后用无水乙醇超声清洗30-60min,最后放入烘箱中干燥备用;
2)配置10-20mg/ml的氧化镍水溶液,置于磁力搅拌器上搅拌10-14小时;
3)配置15-20mg/ml的PCBM氯苯溶液,置于磁力搅拌器上搅拌10-14小时;
4)将洗净的基片置于匀胶机上以旋涂氧化镍空穴传输层,120℃退火10-20min;
5)在步骤(4)的条件下,将退火完成的基片放置于手套箱内的匀胶机上,采用一步法旋涂浓度为1.2M的CsFAMAPb(I,Br)3的前驱体溶液,完成后100℃退火10-20min;
6)在步骤5)的条件下,将冷却的基片置于匀胶机上旋涂碳量子点溶液;
7)在步骤6)的条件下,将基片置于匀胶机上旋涂PCBM溶液作为电子传输层;
8)在步骤7)的条件下,将制备好的样品从手套箱中取出,放入真空蒸镀仪蒸镀金属电极。
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