[发明专利]一种基于渐变开口的宽带太赫兹调制器有效
| 申请号： | 201910703204.4 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110426867B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 郭小庆;张雅鑫;梁士雄 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 渐变 开口 宽带 赫兹 调制器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于渐变开口的太赫兹调制器，包括半导体衬底，位于半导体衬底上的外延层，以及位于外延层之上的调制单元阵列、正电压加载电极和负电压加载电极；所述调制单元阵列中的每个调制单元包括断开的“工”字形结构和半导体掺杂异质结构，所述半导体掺杂异质结构位于断开的“工”字形结构的开口下方；其特征在于，相邻的调制单元中，断开的“工”字形结构的开口位置均不相同，在同一行中，开口位置呈线性分布，即具有斜率，且相邻两行的开口位置的倾斜斜率相反；同一行断开的“工”字形结构的横向枝节依次连通，并通过馈电线分别连接正电压加载电极和负电压加载电极。
2.根据权利要求1所述的基于渐变开口的太赫兹调制器，其特征在于，所述半导体掺杂异质结构为高电子迁移率晶体管。
3.根据权利要求1所述的基于渐变开口的太赫兹调制器，其特征在于，所述断开的“工”字形结构以及馈电线的材料为Au、Ag、Cu或Al。
4.根据权利要求1所述的基于渐变开口的太赫兹调制器，其特征在于，所述半导体衬底为蓝宝石、高阻硅或碳化硅。
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