[发明专利]光扩散片的制备方法

权利要求书

1.一种光扩散片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底(100)表面形成光刻胶层(21)，定义所述光刻胶层(21)具有中心区域和外围区域，所述外围区域包括n个第一外围区域和n+1个第二外围区域，所述第一外围区域和所述第二外围区域均环绕所述中心区域且交替设置，n为≥1的自然数；

对所述光刻胶层(21)顺序进行曝光和显影，以将所述中心区域性形成微结构层(10)，并将所述第一外围区域和所述第二外围区域形成具有凹槽(12)的防溢胶结构(11)，所述防溢胶结构(11)环绕所述微结构层(10)，其中，对所述中心区域的曝光强度小于对所述第一外围区域的曝光强度，且对所述第二外围区域的曝光强度小于对所述第一外围区域的曝光强度，

所述第一外围区域为间隔设置的多个，对所述光刻胶层(21)进行曝光并显影，以将所述第一外围区域和所述第二外围区域形成多个所述凹槽(12)，各凹槽(12)结构间隔设置并环绕所述微结构层(10)。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底(100)表面旋涂正性光刻胶，以得到所述光刻胶层(21)。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层(21)的厚度为5～80μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述光刻胶层(21)进行曝光并显影，以将所述中心区域形成具有周期性微结构阵列或随机分布微结构阵列的所述微结构层(10)。

5.根据权利要求1或4所述的制备方法，其特征在于，所述中心区域为矩形，所述中心区域的长度为1.6～4mm，宽度为0.8～2mm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述光刻胶层(21)进行曝光并显影，以使衬底(100)表面中与所述第一外围区域对应的部分裸露，裸露的部分构成所述凹槽(12)的底面。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

在对所述光刻胶层(21)进行曝光的步骤中，将所述衬底(100)水平放置，并使光线与所述第一外围区域的表面之间具有倾斜角，以使所述第一外围区域在显影后形成针尖状结构；或

在对所述光刻胶层(21)进行曝光的步骤中，将所述衬底(100)倾斜放置，并使光线与第一外围区域的表面垂直，以使所述第一外围区域在显影后形成针尖状结构。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在对所述光刻胶层(21)进行曝光的步骤中，对各所述第一外围区域的曝光强度不相同。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底(100)为硅层、碳化硅层、石英层、树脂层、导电玻璃层和陶瓷层中的任一种。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底(100)的厚度为0.4～0.6mm。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成所述光刻胶层(21)的步骤之前，所述制备方法还包括对所述衬底(100)进行高温烘烤的步骤。

12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对曝光后的所述光刻胶层(21)进行显影，显影液包括TMAH。

13.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在对所述光刻胶层(21)进行曝光的步骤中，对所述第一外围区域的曝光强度恒定。

14.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述光刻胶层(21)顺序进行曝光并显影，以形成所述微结构层(10)，所述制备方法还包括以下步骤：以所述微结构层(10)为掩膜层对所述衬底(100)进行刻蚀，以在所述衬底(100)表面形成微结构。

15.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述光刻胶层(21)顺序进行曝光并显影，以形成所述微结构层(10)，所述制备方法还包括以下步骤：以所述微结构层(10)为掩膜层对所述衬底(100)进行电铸以制作金属母版。