[发明专利]一种大尺寸单晶硅棒大氩气流量拉晶方法在审

专利信息
申请号: 201910703397.3 申请日: 2019-07-31
公开(公告)号: CN112301425A 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 宋瑞强;张文霞;高润飞;徐强;武志军;郭谦;郭志荣;韩凯;赵志远 申请(专利权)人: 内蒙古中环光伏材料有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B15/20
代理公司: 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 代理人: 栾志超
地址: 010070 内蒙古自*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 一种 尺寸 单晶硅 棒大氩气 流量 方法
【权利要求书】:

1.一种大尺寸单晶硅棒大氩气流量拉晶方法,其特征在于:包括融料、稳温、引晶、放肩、转肩、等径和收尾,稳温、引晶、放肩、转肩、等径过程保持上氩气流量为90-120SLPM,保持炉压25Mpa。

2.根据权利要求1所述的大尺寸单晶硅棒大氩气流量拉晶方法,其特征在于:稳温、引晶、放肩阶段保持上氩气流量为100-120SLPM;所述转肩阶段保持上氩气流量为100-110SLPM;所述等径阶段保持上氩气流量为90-100SLPM。

3.根据权利要求2所述的大尺寸单晶硅棒大氩气流量拉晶方法,其特征在于:融料和收尾阶段保持上氩气流量为90-120SLPM。

4.根据权利要求2所述的大尺寸单晶硅棒大氩气流量拉晶方法,其特征在于:融料和收尾阶段保持上氩气流量为60-80SLPM。

5.根据权利要求1-4中任一所述的大尺寸单晶硅棒大氩气流量拉晶方法,其特征在于:下氩气流量为20-30 SLPM。

6.根据权利要求1-5所述的大尺寸单晶硅棒大氩气流量拉晶方法,其特征在于:引晶阶段熔接直径上限为16.5mm,熔接直径下限为13mm,最小直径值为10mm。

7.根据权利要求6所述的大尺寸单晶硅棒大氩气流量拉晶方法,其特征在于:引晶增益值为0.085。

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